SK恩普士有限公司朴韩址获国家专利权
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龙图腾网获悉SK恩普士有限公司申请的专利半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116568771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180082951.6，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法是由朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法，具体地，所述抛光组合物能够应用于非晶质碳膜ACL，Amorphouscarbonlayer的抛光工艺中，并能够表现出高抛光速率；能防止抛光工艺中的碳残留物Carbonresidue再次吸附在半导体基板上，由此防止缺陷的发生；并且，还具有优异的储存稳定性。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。
本发明授权半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺用抛光组合物，其中， 包含： 抛光颗粒； 加速剂； 稳定剂；以及 表面活性剂， 所述加速剂和所述稳定剂的重量比是0.5:1至3:1， 所述稳定剂的含量为1重量%至2重量%， 所述表面活性剂包括氟基高分子化合物， 由下述式1表示的抛光性能下降率为0%至60%： [式1] 在所述式1中， 在2psi、载体速度carrierspeed为87rpm、平台速度platenspeed为93rpm、抛光组合物的流入流速为200mlmin的抛光条件下，对厚度为2000埃的非晶质碳膜进行了60秒的抛光工艺；所述A0是在所述抛光条件下，将抛光组合物用于抛光工艺而测定的抛光速率；所述A1是将抛光组合物在60℃的温度下放置40小时，并在20℃至25℃冷却之后，在所述抛光条件下用于抛光工艺而测定的抛光速率。
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