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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种含自旋螺旋电感层的激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116613632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310663167.5，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种含自旋螺旋电感层的激光元件是由李水清;王星河;陈婉君;张会康;黄军;刘紫涵;蔡鑫;蒙磊;际三喜;季徐芳;张江勇;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含自旋螺旋电感层的激光元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种含自旋螺旋电感层的激光元件，所述激光元件从下往上包括：衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层；所述有源层和所述下波导层相邻，或者所述有源层和所述下波导层之间存在第一自旋螺旋电感层；所述有源层和所述上波导层相邻，或者所述有源层和所述上波导层之间存在第二自旋螺旋电感层；所述第一自旋螺旋电感层和所述第二自旋螺旋电感层均为三维拓扑核壳结构。采用本发明，降低空穴注入势垒，增强空穴注入效率，同时，提升有源层的电子注入势垒，降低电子溢流，从而提升有源层中电子空穴波函数的辐射复合效率，提升激光器限制因子，降低内损耗，提升激光的激射功率和斜率效率。

本发明授权一种含自旋螺旋电感层的激光元件在权利要求书中公布了：1.一种含自旋螺旋电感层的激光元件，其特征在于，从下往上包括：衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层； 所述有源层和所述下波导层之间设置有第一自旋螺旋电感层，且所述有源层和所述上波导层相邻；或者所述有源层和所述上波导层之间设置有第二自旋螺旋电感层，且所述有源层和所述下波导层相邻；或者所述有源层和所述下波导层之间设置有第一自旋螺旋电感层，且所述有源层和所述上波导层之间设置有第二自旋螺旋电感层； 所述有源层为三个以内周期层组成的周期结构，每一个周期层包括一个阱层和一个垒层，不同的周期层拼接时形成阱层和垒层相邻的结构； 所述第一自旋螺旋电感层和所述第二自旋螺旋电感层均为三维拓扑核壳结构，所述自旋螺旋电感层包括Cd3Ru4Al12、CsV3Sb5、SrTiO3、KVsSb5、PbI2-WS2、RbV3Sb5中的一种成分。

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