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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116669902B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180085438.2，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法是由村上雅大;寺川良也设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法在说明书摘要公布了：一种硅晶片的抛光方法，其包括将前段抛光工序和其后的精抛工序作为最终抛光工序进行的步骤，所述硅晶片的抛光方法中，所述最终抛光工序中的所述精抛工序包括：精浆料抛光工序，使用磨粒的密度为1×1013个cm3以上的抛光液作为所述第二抛光液；及预抛光工序，在所述精浆料抛光工序之前进行且使用磨粒的密度为1×1010个cm3以下的抛光液作为所述第二抛光液。一种硅晶片的制造方法，其在通过切克劳斯基法生长的单晶硅锭的外周部形成缺口部，接着切片而得到硅晶片之后，通过上述硅晶片的抛光方法，对得到的硅晶片实施抛光处理。

本发明授权硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅晶片的抛光方法，其特征在于，包括将以下工序作为最终抛光工序进行的步骤： 前段抛光工序，使用包括表面设置有第一抛光垫的第一平台和第一抛光头的前段抛光单元，一边向所述第一抛光垫供给第一抛光液，一边在使由所述第一抛光头保持的硅晶片与所述第一抛光垫接触的状态下使所述第一平台及所述硅晶片旋转，由此抛光所述硅晶片的表面；及 精抛光工序，在前段抛光工序之后，使用包括表面设置有第二抛光垫的第二平台和第二抛光头的精抛光单元，一边向所述第二抛光垫供给第二抛光液，一边在使由所述第二抛光头保持的所述硅晶片与所述第二抛光垫接触的状态下使所述第二平台及所述硅晶片旋转，由此进一步抛光所述硅晶片的表面， 所述硅晶片的抛光方法中，所述最终抛光工序中的所述精抛光工序包括： 精浆料抛光工序，使用磨粒的密度为1×1013个cm3以上的抛光液作为所述第二抛光液；及 预抛光工序，在所述精浆料抛光工序之前进行且使用磨粒的密度为1×1010个cm3以下的抛光液作为所述第二抛光液， 所述预抛光工序以及所述精浆料抛光工序在同一所述精抛光单元中进行， 所述预抛光工序在令所述硅晶片与所述第二抛光垫接触的状态下令所述第二平台以及所述硅晶圆旋转从而进行。

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