买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉辽宁大学申请的专利一种利用太阳能直接沉积金属钯的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116675443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310781412.2，技术领域涉及：C03C17/36；该发明授权一种利用太阳能直接沉积金属钯的方法是由许靖泽;曹凌志;李越文;李硕;张宇设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用太阳能直接沉积金属钯的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种利用太阳能催化光阳极进而在阴极导电基底上沉积回收贵金属钯的方法，采用的技术方案是：将一个柱形的电解槽装置分为一半阳极室一半阴极室，在阳极室中加入Na2SO4溶液，在阴极室中加入PdNO32溶液，两者通过质子交换膜隔绝；将ZnO光电极作为阳极放入到阳极室中，同时将导电基底作为阴极放入到阴极室中，用外接导线将阳极与阴极相连；用太阳光直接照射ZnO光电极一段时间。本发明的方法，在使用光照射光电极一段时间后单质金属钯会在导电基底上被沉积出来。这种使用太阳照射、无需外加电压即可沉积回收贵金属钯的方法可以为太阳能储存转化和传统金属回收提供新的思路。

本发明授权一种利用太阳能直接沉积金属钯的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用太阳能直接沉积金属钯的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1于柱型电解槽的阳极室中加入浓度为0.1-2molL的Na2SO4溶液，于柱型电解槽的阴极室中加入质量浓度为0.005-5%的PdNO32溶液，阳极室和阴极室之间的连接管道中设有质子膜； 2将ZnO光电极作为阳极置于柱型电解槽的阳极室中，将导电基底作为阴极置于柱型电解槽的阴极室中，用导线将ZnO光电极和导电基底连接； 3用太阳光直接照射ZnO光电极20-120分钟，在阴极的导电基底上沉积出单质金属钯； 步骤2中，所述ZnO光电极的制备方法包括如下步骤： 2.1将ZnNO32·2H2O的乙醇溶液滴在FTO导电玻璃的导电侧，滴完后将该导电玻璃放入烘箱中烘干，重复上述步骤三次；将得到的含有Zn元素的FTO导电玻璃放入马弗炉中，在300-650℃下退火10-25min，形成ZnO晶体，冷却至室温； 2.2将含有ZnNO32·2H2O和六亚甲基四胺的混合液倒入放有步骤2.1得到的FTO导电玻璃基底的反应釜中，将反应釜放于烘箱中，在90-120℃下反应3-6h，冷却至室温，洗涤，干燥，得ZnO光电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人辽宁大学，其通讯地址为：110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。