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龙图腾网获悉国网浙江省电力有限公司电力科学研究院申请的专利一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116699460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310458162.9，技术领域涉及：G01R31/52；该发明授权一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法是由陈骞;陆承宇;陆翌;裘鹏;倪晓军;丁超;许烽;郑眉;谢浩铠;干方宇设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法。本发明的检测系统包括TO247封装的SiCMOSFET芯片、TMR电流传感器和故障检测单元；所述的TMR电流传感器包含第一TMR桥臂、第二TMR桥臂和运算放大器，第一TMR桥臂与第二TMR桥臂关于中轴线对称；分别连接SiCMOSFET芯片漏极的左铜箔和芯片源极的右铜箔也关于中轴线对称；两个TMR桥臂共包含4个TMR电阻R1‑R4，构成桥式结构；所述的运算放大器与桥式结构连接；所述的TMR电流传感器与所述的故障检测单元连接，将获得的采样电流输入故障检测单元中，判断SiCMOSFET芯片是否有短路故障。本发明采用TMR电流传感器屏蔽外界磁场的干扰，实现了TO247封装的SiCMOSFET快速短路保护。

本发明授权一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统，其特征在于，包括TO247封装的SiCMOSFET芯片、TMR电流传感器和故障检测单元；TO247封装的SiCMOSFET芯片安装在PCB板上； 所述的TMR电流传感器包含第一TMR桥臂、第二TMR桥臂和运算放大器，所述的第一TMR桥臂和第二TMR桥臂分别放置于PCB板的左铜箔和右铜箔上，第一TMR桥臂与第二TMR桥臂关于中轴线对称；分别连接SiCMOSFET芯片漏极的左铜箔和芯片源极的右铜箔也关于所述的中轴线对称； 两个TMR桥臂共包含4个TMR电阻R1-R4，构成桥式结构； 所述的运算放大器与桥式结构连接，用于将桥式结构的电压差放大，放大后的电压差与流经SiCMOSFET芯片的电流成正比； 所述的TMR电流传感器与所述的故障检测单元连接，将获得的采样电流输入故障检测单元中，判断SiCMOSFET芯片是否有短路故障。

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