中芯国际集成电路制造(上海)有限公司高俊九获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利标准单元接触孔的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116705696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210181282.4，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权标准单元接触孔的形成方法是由高俊九;曾贤成;李若园设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本标准单元接触孔的形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种标准单元接触孔的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括依次堆叠的绝缘层、第一掩膜层、第二牺牲层和第一介质层，所述第一介质层上形成有侧壁具有第一侧墙的第一牺牲层图案；去除所述第一牺牲层图案，在所述第一介质层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层和所述第一侧墙形成新的第二掩膜层图案；以所述第二掩膜层图案为掩膜，刻蚀所述第一介质层和所述第二牺牲层，形成第二牺牲层图案；在所述第二牺牲层图案的侧壁形成第二侧墙，并去除所述第二牺牲层图案；以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层并停止在所述绝缘层上，形成标准单元接触孔。本申请技术方案可以形成宽度不均匀的标准单元接触孔。
本发明授权标准单元接触孔的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种标准单元接触孔的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括依次堆叠的绝缘层、第一掩膜层、第二牺牲层和第一介质层，所述第一介质层上形成有侧壁具有第一侧墙的第一牺牲层图案，且所述第一牺牲层图案用于定义标准单元接触孔的不同pitch； 去除所述第一牺牲层图案，在所述第一介质层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层和所述第一侧墙形成新的第二掩膜层图案； 以所述第二掩膜层图案为掩膜，刻蚀所述第一介质层和所述第二牺牲层，形成用于定义标准单元接触孔的不同pitch的第二牺牲层图案，并去除所述第二牺牲层图案表面的所述第一介质层； 在所述第二牺牲层图案的侧壁形成用于定义所述标准单元接触孔的第二侧墙，并去除所述第二牺牲层图案； 以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层并停止在所述绝缘层上，形成具有不同pitch的标准单元接触孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励