湘潭大学方云获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利3-5μm中波红外宽带完美吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116736418B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310402668.8，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权3-5μm中波红外宽带完美吸收器是由方云;巩丽;潘凌云;唐玉;刘金姣设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本3-5μm中波红外宽带完美吸收器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种主要针对波长在3微米至5微米光谱范围内的光进行吸收的嵌入型吸收器。吸收器包含多个嵌入式吸收单元，嵌入式吸收单元包含：位于底层的金属钛底层，厚度为：t金属2＝0.2μm；位于中间层的硅介质层，厚度为：t介质1＝0.5‑0.65μm；位于中间层的金属材质的圆环，其厚度为：t金属1＝0.05‑0.2μm；位于表层的氧化铝介质层，厚度为：t介质2＝0.5‑0.8μm；圆环的内外半径分别为r金属1和R金属1，周期为p，圆环与衬底的距离为d金属1；r金属1＝0.5‑0.65μm，R金属1＝0.75‑0.9μm，d金属1＝0.075‑0.3375μm，p＝1.8μm。t金属1：t介质1：t介质2：t金属2＝0.25‑1：2.5‑3.25：2.5‑4：1；所述嵌入型吸收单元呈四棱柱；中间层的金属材质呈圆环设置；所有结构周期相同。本结构可有效对中波红外光进行吸收。
本发明授权3-5μm中波红外宽带完美吸收器在权利要求书中公布了：1.3-5μm中波红外宽带嵌入型完美吸收器，包含多个嵌入型吸收单元，其特征在于： 嵌入型吸收单元包括： 位于底层的金属钛底层，厚度为t金属2；t金属2＝0.2μm； 位于中间层的圆环嵌入硅介质层，厚度为t介质1；t介质1＝0.5-0.65μm； 位于中间层的金属钛材质的圆环，厚度为t金属1；t金属1＝0.05-0.2μm； 位于表层的氧化铝介质层，其厚度为t介质2；t介质2＝0.5-0.8μm； 所述嵌入型吸收单元呈四棱柱设置，底层的金属钛底层、中间层的硅介质层、表层的氧化铝介质层都呈四棱柱，中间层的金属钛材质呈圆环设置；所有结构周期相同。
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