南京大学李爱东获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种基于无机-有机杂化纳米多孔膜/半导体金属氧化物的薄膜氢气传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116794116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310623615.9，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于无机-有机杂化纳米多孔膜/半导体金属氧化物的薄膜氢气传感器及其制备方法是由李爱东;张欣悦;王晨;任强;吴迪设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于无机-有机杂化纳米多孔膜/半导体金属氧化物的薄膜氢气传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于无机‑有机杂化纳米多孔膜半导体金属氧化物的薄膜氢气传感器及其制备方法，属于氢气传感器领域，本发明将传统半导体金属氧化物与介孔无机‑有机杂化层结合起来，在绝缘无机物或聚合物基底上利用分子层原子层沉积技术，通过引入了一种多孔对苯二酚锌薄膜Zn‑HQ，再沉积半导体金属氧化物MO薄膜，制备了MOZn‑HQ复合薄膜型氢气传感器，在无贵金属修饰的情况下，获得了灵敏度高、响应快速、选择性好、可低温工作的半导体氧化物薄膜型氢气传感器。该氢气传感器结构简单，氢敏性能出色，且制备工艺与微电子工艺兼容，便于应用于集成化、微型化与智能化的微机电系统与多功能传感器中。
本发明授权一种基于无机-有机杂化纳米多孔膜/半导体金属氧化物的薄膜氢气传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于无机-有机杂化纳米多孔膜半导体金属氧化物的薄膜氢气传感器，其特征在于，从下至上依次为：绝缘衬底、无机-有机杂化纳米多孔膜Zn-HQ层、半导体金属氧化物薄膜层、导电电极层；其中，所述无机-有机杂化纳米多孔膜Zn-HQ层厚度为10-50nm；所述半导体金属氧化物薄膜层厚度为10-50nm；金属氧化物薄膜表面存在着大量金属氧化物薄膜生长时渗滤进无机-有机杂化纳米多孔膜Zn-HQ层形成的浅纳孔结构；所述半导体金属氧化物包括氧化锡、氧化锌、氧化钛、氧化铁、氧化钼。
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