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天合光能股份有限公司;天合光能(常州)科技有限公司高纪凡获国家专利权

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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司;天合光能(常州)科技有限公司申请的专利异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116913991B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310964663.4,技术领域涉及:H10F77/20;该发明授权异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统是由高纪凡;殷志豪;侯承利;杨庆贺;杨广涛;陈达明设计研发完成,并于2023-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统在说明书摘要公布了:本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统。该异质结太阳能电池包括异质结电池主体、过渡层以及金属电极;异质结电池主体包括衬底,所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层;衬底的至少一侧的透明导电层上层叠设有过渡层,且过渡层位于该透明导电层的背离衬底的一侧;衬底的相对两侧的透明导电层均电性连接有金属电极,与过渡层位于衬底相同侧的金属电极均设置于该过渡层上;过渡层被配置为能够至少部分阻隔金属电极扩散至对应的透明导电层;从而可减小电池制作过程中透明导电层发生的污染和损伤,提高异质结太阳能电池的转换效率。

本发明授权异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统在权利要求书中公布了:1.一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括异质结电池主体、过渡层以及金属电极; 所述异质结电池主体包括衬底,所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层; 所述衬底的至少一侧的所述透明导电层上层叠设有所述过渡层,且所述过渡层位于该所述透明导电层的背离所述衬底的一侧; 所述衬底的相对两侧的所述透明导电层均电性连接有金属电极,与所述过渡层位于所述衬底相同侧的所述金属电极均设置于该所述过渡层; 其中,所述过渡层被配置为能够至少部分阻隔所述金属电极扩散至对应的所述透明导电层; 所述透明导电层表面存在凹凸不平的微纳结构,所述透明导电层退火后结晶形成晶粒晶界,所述过渡层覆盖并填充所述透明导电层的背离衬底一侧表面上的所述微纳结构和晶界,以降低金属电极通过所述微纳结构以及晶界对所述透明导电层的渗透污染;所述金属电极采用丝网印刷工艺制作得到; 所述过渡层为隧穿氧化层或有机导电层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司;天合光能(常州)科技有限公司,其通讯地址为:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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