沈阳芯源微电子设备股份有限公司孙洪君获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳芯源微电子设备股份有限公司申请的专利一种减薄高粘度光阻边缘膜厚的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116931374B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210367054.6，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权一种减薄高粘度光阻边缘膜厚的方法是由孙洪君;邢栗;张德强;王俊阳设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种减薄高粘度光阻边缘膜厚的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种减薄高粘度光阻边缘膜厚的方法，属于集成电路制造行业光刻工艺技术领域。该方法是在将待涂胶晶圆进行光阻喷涂后，经甩胶使光阻平铺满至整个晶圆表面，形成具有一定厚度的稳定薄膜；然后先后两次或多次不同距离移动EBR喷嘴，进行边缘减薄，去边溶剂流量10‑20mlmin，晶圆转速300‑800rpm；晶圆在涂胶单元完成涂覆和减薄后，经机器人取出，经过烘烤，送入曝光，然后显影，最后将晶圆传送回片盒。该方法在保证原有标准要求的前提下，优化了薄膜均匀性，减少晶圆及设备污染，提高了工艺质量，并降低了后续光刻工艺中“无效带”的数量。
本发明授权一种减薄高粘度光阻边缘膜厚的方法在权利要求书中公布了：1.一种减薄高粘度光阻边缘膜厚的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤： 1将待涂胶晶圆进行表面清洗、烘干，然后增粘剂涂底，接着将待涂胶晶圆送入匀胶单元，准备开始光阻涂覆； 2进行光阻喷涂，喷涂结束后进行甩胶，使光阻平铺满至整个晶圆表面，形成具有一定厚度的稳定薄膜； 3采用PGMEA或EGMEA去边溶剂，通过EBR喷嘴喷出在晶圆边缘处，进行晶圆边缘处光阻减薄；减薄过程中，先后多次不同距离移动EBR喷嘴，进行边缘减薄，第一次移动为将EBR喷嘴从晶圆最外侧沿晶圆径向内侧移动，第二次移动为EBR喷嘴沿晶圆径向移动后停留的位置到晶圆最外侧移动，去边溶剂流量10-20mlmin，晶圆转速300-800rpm； 4晶圆在涂胶单元完成涂覆和减薄后，经机器人取出，经过烘烤，进行曝光，然后显影，最后将晶圆传送回片盒。
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