长鑫存储技术有限公司吴玉雷获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116959974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210385869.7，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由吴玉雷设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括，提供目标层；在目标层的顶面形成多个第一掩膜图形；在目标层的上方形成多个第二掩膜图形，每个第二掩膜图形至少覆盖位于其延伸方向上的每个第一掩膜图形的部分顶面以及目标层的部分顶面；基于第二掩膜图形对目标层进行第一刻蚀；移除第二掩膜图形；基于第一掩膜图形对目标层进行第二刻蚀。在本公开中，通过第二掩膜图形和第一掩膜图形分别对目标层进行两次刻蚀处理，刻蚀形成更加精细复杂、密度更高的重复结构，减小了形成重复结构的难度，利于形成高集成度的集成电路。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供目标层； 在所述目标层的顶面形成多个第一掩膜图形，在第一方向上任意相邻的两个所述第一掩膜图形隔开设置； 在所述目标层的上方形成多个第二掩膜图形，每个所述第二掩膜图形沿所述第一方向延伸，且所述第二掩膜图形彼此隔开设置，每个所述第二掩膜图形至少覆盖位于其延伸方向上的每个所述第一掩膜图形的部分顶面以及所述目标层的部分顶面； 基于所述第二掩膜图形对所述目标层进行第一刻蚀； 基于所述第一掩膜图形对所述目标层进行第二刻蚀。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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