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龙图腾网获悉浙江大学;浙江大学台州研究院申请的专利一种基于分子束外延的铁酸铋基同质结超晶格的制备方法及其产品和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411521493.3，技术领域涉及：C30B29/68；该发明授权一种基于分子束外延的铁酸铋基同质结超晶格的制备方法及其产品和应用是由刘可凡;洪子健;黄玉辉;吴勇军设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于分子束外延的铁酸铋基同质结超晶格的制备方法及其产品和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于分子束外延的铁酸铋基同质结超晶格的制备方法：将衬底传入MBE生长腔室内，衬底温度小于Bi源蒸发温度；将Bi源和Fe源升温并调节束流大小；采用臭氧作为外延生长气氛，Bi源和Fe源在生长腔室混合先进行外延生长无氧空位的铁酸铋外延薄膜作为铁电相，降低氧压后再进行外延生长含氧空位的铁酸铋薄膜作为缺陷铁电相；两次外延生长交替分别生长，得到铁酸铋基同质结超晶格。本发明通过控制铁酸铋在外延过程中的臭氧分压来调控每层铁酸铋中的氧缺陷含量，通过引入含有氧空位的铁酸铋层，在同质界面处提供退极化场，制备了铁酸铋氧空位铁酸铋同质结超晶格；且制备的超晶格表面具有清晰且平行的原子台阶。

本发明授权一种基于分子束外延的铁酸铋基同质结超晶格的制备方法及其产品和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于分子束外延的铁酸铋基同质结超晶格的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 1将衬底传入MBE生长腔室内，衬底温度小于Bi源蒸发温度； 2将Bi源和Fe源升温至蒸发温度，并调节Bi源和Fe源的束流大小； 3采用臭氧作为外延生长气氛，Bi源和Fe源在生长腔室混合先进行外延生长无氧空位的铁酸铋外延薄膜作为铁电相，降低氧压后再进行外延生长含氧空位的铁酸铋薄膜作为缺陷铁电相； 4步骤3中的两次外延生长交替分别生长，得到铁酸铋基同质结超晶格； 在步骤1中，所述衬底为110取向的钪酸盐单晶衬底，所述衬底为通过化学湿法处理和退火处理后的具有原子级平整表面的衬底； 在步骤1中，所述衬底温度满足：300oC≤衬底温度＜600oC； 在步骤2中，所述Bi源的蒸发温度在600-700oC，所述Fe源的蒸发温度在1200-1500oC；所述Bi源和Fe源的束流比大于等于4:1； 在步骤3中，所述外延生长的氧压在10-6-10-5Torr，所述外延生长无氧空位的铁酸铋外延薄膜的氧压降低不超过1×10-6Torr后进行外延生长含氧空位的铁酸铋薄膜。

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