广州市艾佛光通科技有限公司李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉广州市艾佛光通科技有限公司申请的专利低粘度光刻胶增厚方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119472174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411618354.2，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权低粘度光刻胶增厚方法是由李国强;颜远彬设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本低粘度光刻胶增厚方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低粘度光刻胶增厚方法，属于光刻工艺领域，步骤包括，在已生长Ti‑Cu薄膜种子层的晶圆上旋涂第一层光刻胶；对晶圆进行第一次软烘；第一次软烘的温度低于光刻胶的技术指导书规定的温度，第一次软烘的时间短于光刻胶的技术指导书规定的时间；对晶圆进行第一次冷却；在晶圆上旋涂第二层光刻胶；对晶圆进行第二次软烘；对晶圆进行第二次冷却，得到抗蚀层。该方法简单易行，能够突破光刻胶的极限胶层厚度，扩大光刻胶厚度适用工艺窗口，采用低粘度光刻胶做出高厚度抗蚀层，有利于降低生产成本，避免了因凸点高度要求不同而要更换光刻胶种类、更换涂胶机的麻烦，有利于产品质量稳定。
本发明授权低粘度光刻胶增厚方法在权利要求书中公布了：1.一种低粘度光刻胶增厚方法，其特征在于，包括以下步骤： 在已生长Ti-Cu薄膜种子层的晶圆上旋涂第一层光刻胶； 对所述晶圆进行第一次软烘；所述第一次软烘的温度低于光刻胶的技术指导书规定的温度，所述第一次软烘的时间短于光刻胶的技术指导书规定的时间； 对所述晶圆进行第一次冷却； 在所述晶圆上旋涂第二层光刻胶； 对所述晶圆进行第二次软烘； 对所述晶圆进行第二次冷却，得到抗蚀层； 两次涂布的光刻胶成分、性质、分子结构一致。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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