中国人民解放军国防科技大学刘肯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种纳米光学加速度计及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120629632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510860741.5，技术领域涉及：G01P15/03；该发明授权一种纳米光学加速度计及其制备方法是由刘肯;刘宁;徐纪鹏;岳忠民设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米光学加速度计及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于加速度计领域，具体涉及一种纳米光学加速度计及其制备方法，包括在硅片的两面沉积氮化硅薄膜，在一面的氮化硅薄膜采用光刻工艺在顶部氮化硅薄膜上形成目标图形，采用刻蚀法在目标图形处刻蚀氮化硅薄膜形成目标图形的孔，然后采用刻蚀法刻蚀硅片，释放氮化硅薄膜，得到带有质量块的悬空表面；以带有质量块的悬空表面作为纳米加速度计的顶部芯片；两面分别镀有高反膜和增透膜且中间具有凹槽的石英片作为底部芯片，顶部芯片和底部芯片集成，制得纳米光学加速度计；只需要进行一次光刻工艺，微纳加工工艺简单，与CMOS工艺兼容，成本更低，并提高器件制备的成品率。
本发明授权一种纳米光学加速度计及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米光学加速度计，其特征在于，包括加速度感应单元，所述加速度感应单元包括层叠设置有顶部芯片和底部芯片； 所述顶部芯片包括：质量块101、分别位于质量块101顶部和底部的两个氮化硅薄膜102以及设置在质量块外围的支持结构，且顶部的氮化硅薄膜102具有回字形分布的多个通孔； 所述底部芯片包括石英片201、分别设置在石英片201两面的高反膜203和增透膜204，所述石英片201中间具有凹槽202，所述高反膜203位于凹槽202的底部，顶部芯片底部的氮化硅薄膜102覆盖凹槽202形成光学谐振腔，所述质量块101位于凹槽202正上方；所述纳米光学加速度计的灵敏度测量值为1000mVμg以上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410003 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励