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龙图腾网获悉上海钫铖微电子有限公司申请的专利应用于超高速SerDes接收器的模拟前端电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120934466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511042570.1，技术领域涉及：H03F1/56；该发明授权应用于超高速SerDes接收器的模拟前端电路是由陈旭;姚豫封;李承哲设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于超高速SerDes接收器的模拟前端电路在说明书摘要公布了：本申请涉及集成电路技术领域，公开了一种应用于超高速SerDes接收器的模拟前端电路，其跨阻放大器包括一对输入晶体管，其栅极相连并连接有由第一电感和第二电感构成的T线圈，第一电感的一端连接栅极且并联连接第二电容，另一端接收前级输入且并联连接第二电感的一端和第一电容，其漏极相连并连接有由第五电感和第六电感构成的T线圈，第六电感的一端连接漏极且并联连接第三电容，另一端输出放大信号且并联连接第五电感的一端和第四电容；第二电感的另一端和第五电感的另一端直接串联有第一电阻和第三电感。本申请通过优化零极点补偿高频损耗并优化阻抗匹配减少反射，较好地保证了信号的完整性。

本发明授权应用于超高速SerDes接收器的模拟前端电路在权利要求书中公布了：1.一种SerDes接收器的模拟前端电路，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络、连续时间线性均衡器和跨阻放大器，其中： 所述跨阻放大器包括一对输入晶体管M1，M2，所述一对输入晶体管M1，M2的栅极相连并连接有由第一电感L1和第二电感L2构成的T线圈，所述第一电感L1的一端连接所述栅极且并联连接所述一对输入晶体管输入寄生的第二电容C2，所述第一电感L1的另一端接收前级输入且并联连接所述第二电感L2的一端和前级寄生的第一电容C1，所述一对输入晶体管M1，M2的漏极相连并连接有由第三电感L3和第四电感L4构成的T线圈，所述第三电感L3的一端连接所述漏极且并联连接所述一对输入晶体管输出寄生的第三电容C3，所述第三电感L3的另一端输出放大信号且并联连接所述第四电感L4的一端和第四电容C4；所述第二电感L2的另一端和所述第四电感L4的另一端直接串联有第一电阻R1和第五电感L5，所述第五电感L5的两端并联有由第二电阻R2和第六电感L6构成的De-Q电路。

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