成都鸿辰光子半导体科技有限公司车相辉获国家专利权
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龙图腾网获悉成都鸿辰光子半导体科技有限公司申请的专利用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121726836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610216835.3，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法是由车相辉;刘奇;赵若阳;王易;邓秉浩;闫林;鲁平;乔磊设计研发完成，并于2026-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种能够降低激光器阈值电流、同时能够大幅度提升器件一致性且工艺兼容性强的用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法。该方法通过在顶部包层生长埋层之后，引入一个选择性的扩Zn处理工艺步骤，通过该扩散步骤来形成的高浓度p型区，与金属电极之间能够形成更为理想的欧姆接触，同时，在顶部包层上表面额外蒸镀一层厚度为5‑10nm的薄金层可以显著降低欧姆接触，欧姆接触由1.2e‑5降低至4.5e‑7，降低约26.6倍；而且在降低欧姆接触的同时，电流限制效果显著增强，利用本发明制备的激光器阈值电流可降至15‑18mA，另外，本发明工艺难度低，操作性高，自由度高，器件一致性大幅提升；而且工艺兼容性强。适合在半导体激光器领域推广应用。
本发明授权用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法在权利要求书中公布了：1.用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法，包括如下步骤： A、在晶圆上表面进行一次外延生长处理得到光栅外延层； B、在光栅外延层的上表面进行光栅图形制作处理； C、在经过光栅图形制作处理的光栅外延层表面进行二次外延生长处理得到有源区； D、将有源区加工成台面结构； E、在台面结构的有源区两侧分别生长电流阻挡层； F、在台面结构的有源区上表面生长顶部包层，所述顶部包层同时覆盖有源区与电流阻挡层的上表面； 其特征在于： G、对生长顶部包层进行扩Zn处理； H、在经过扩Zn处理的顶部包层上表面蒸镀一层厚度为5-10nm的薄金层；并在480℃-520℃环境下保温3-4分钟； I、在薄金层上表面制作金属电极以及划片解离。
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