昆明理工大学朱焘获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种高性能反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310138146.1，技术领域涉及：H10K85/50；该发明授权一种高性能反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由朱焘;张希尧;祝星;唐浩瑞;陈柱;李天蕊;胡丹阳;常雄;谢哲文;朱勇;张凯设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高性能反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池依次包括ITO导电玻璃层，空穴传输层PTAA、经3,6‑二溴咔唑修饰的钙钛矿层MAPbI2.91Br0.09、电子传输层OAmI、电子传输层PC61BM、空穴阻挡层BCP和金属电极层Ag。本方案通过将共轭咔唑类小分子引入钙钛矿活性层中，提升了钙钛矿层的载流子传输能力，改善了钙钛矿层与载流子传输层的能级适配，提升了光电流，改善了薄膜形态，平衡了电荷传输，实现了光电转换效率的增强，稳定性的提高，并有效抑制了器件的迟滞效应。
本发明授权一种高性能反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反式钙钛矿太阳能电池，其特征在于，从下到上依次包括ITO导电玻璃层，作为空穴传输层的PTAA、咔唑类有机小分子3,6-二溴咔唑，3,6-dibromocarbazole掺混的MAPbI2.91Br0.09钙钛矿、作为电子传输层的OAmI、作为电子传输层的PC61BM、作为空穴阻挡层的2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲BCP和银金属电极层。
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