大连理工大学董星龙获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种调控粉体粒度的气流加热/冷却一体化装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116673482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310647986.0,技术领域涉及:B22F9/12;该发明授权一种调控粉体粒度的气流加热/冷却一体化装置是由董星龙;刘冬设计研发完成,并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种调控粉体粒度的气流加热/冷却一体化装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种调控粉体粒度的气流加热冷却一体化装置,属于亚微米纳米粉体制备技术领域。由气流加热系统和气流冷却系统两大部分所组成。所述的气流加热系统前端与等离子体粉体生成室相连,气流加热系统的后端与气流冷却系统相连,由载气携带的粉体粒子经历依次加热和冷却两个阶段,改善粉体粒度均匀性,提高粉体产物的质量。在原位制备粉体材料过程中,通过本发明提供的流动颗粒的加热冷却一体化处理单元,能够实现小尺寸颗粒的再生长、以及抑制大尺寸颗粒的聚集与长大,有效改善了粉体粒度均匀性,提高了粉体产物整体的质量。
本发明授权一种调控粉体粒度的气流加热/冷却一体化装置在权利要求书中公布了:1.一种调控粉体粒度的气流加热冷却一体化装置,其特征在于,所述的一体化装置包括气流加热系统1和气流冷却系统8两大部分;所述的气流加热系统前端与等离子体粉体生成室相连,气流加热系统的后端与气流冷却系统相连,由载气携带在等离子体粉体生成室中已经形成的粉体颗粒经历加热和冷却两个阶段,改善粉体粒度均匀性,提高粉体产物的质量;所述的气流加热系统1包括第一输入端口2、输粉管道3、一级加热回路4、二级加热回路5、磁场屏蔽隔板6、第一输出端口7;载气携带粉体颗粒进行流动循环,从第一输入端口2进入到输粉管道3,在输粉管道3内依次进入一级加热、二级加热阶段,从第一输出端口7流入气流冷却系统8;一级加热回路4采用感应加热方式,属低温加热,二级加热回路5采用电阻加热,属高温加热;所述一级加热回路4和二级加热回路5之间安装磁场屏蔽隔板6; 所述的一级加热回路4设置温度范围100~300℃;所述的二级加热回路5设置温度范围400~1000℃; 所述的一级加热回路4包含缠绕加热管的电磁感应加热线圈、包裹在外层的隔热保温层、温控装置;感应磁场作用下,所述的一级加热回路是小尺寸粒子聚集和结合的场所; 所述的二级加热回路5包含包裹加热管的电阻层、包裹在外层的隔热保温层、温控装置;所述的二级加热回路是小尺寸粒子再生长的场所。
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