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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种晶面交换电流密度的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117147643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310880680.X，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权一种晶面交换电流密度的测量方法是由宋维力;李旭;陈浩森;焦树强;李娜;杨乐设计研发完成，并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶面交换电流密度的测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种晶面交换电流密度的测量方法，属于电化学测试领域。本发明实现方法为：采用自主搭建的三电极单颗粒电化学测试系统测量多个微米尺度颗粒的电化学阻抗谱，获取多个单晶颗粒的电流密度；采用X射线衍射技术获取材料晶体结构信息；采用高分辨透射电子显微镜测量单个颗粒任意暴露面的晶面类型；对单晶颗粒进行三维重构获取颗粒几何信息；通过晶体结构信息，暴露面的晶面类型信息和各个暴露面间的夹角信息，标定出所有暴露面的晶面类型；根据多个颗粒所有暴露面的晶面类型、对应暴露面的面积和颗粒的电流密度计算出晶体材料不同晶面的交换电流密度。本发明可用于微米尺度晶体材料晶面交换电流密度的测量，定量化分析材料的电化学活性。

本发明授权一种晶面交换电流密度的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种晶面交换电流密度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤， 步骤一、获取材料的晶体结构信息，得到材料的晶胞参数； 步骤二、在装备有可旋转样品台和机械手臂的扫描电子显微镜中选择一个单晶颗粒，切割该单晶颗粒的一小部分进行透射电子显微镜制样，用于获取单晶颗粒任意一个暴露面的晶面类型信息；将该单晶颗粒的剩余部分与包覆有树脂的金属钨针进行焊接，制成单颗粒微电极； 步骤三、使用三电极单颗粒电化学测试系统对单颗粒微电极进行电化学测试，获取单个单晶颗粒的电流密度； 步骤四、将进行电化学测试后的单晶颗粒进行三维重构，获取单个单晶颗粒的几何结构信息，得到每个暴露面的面积以及各个暴露面间的夹角信息； 步骤五、根据晶体结构信息，任意一个暴露面的晶面类型信息和各个暴露面间的夹角信息，标定出所有暴露面的晶面类型； 步骤六、重复步骤一到步骤五对多个单晶颗粒进行测试； 步骤七、由多个单晶颗粒测试获得的所有暴露面的晶面类型、对应晶面的面积和颗粒的电流密度计算出晶体材料不同晶面的交换电流密度，即实现晶面交换电流密度测量； 步骤七中材料不同晶面交换电流密度的计算方法，根据获得的多个单晶颗粒的所有暴露面晶面的类型信息、对应晶面的面积和颗粒的电流密度，采用公式计算所有晶面的交换电流密度其中上标i代表不同的晶面，n代表晶面的个数，s代表晶面的面积。

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