美光科技公司F·贝代斯基获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于竖直存储器阵列的晶体管配置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117153201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310622171.7，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权用于竖直存储器阵列的晶体管配置是由F·贝代斯基设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于竖直存储器阵列的晶体管配置在说明书摘要公布了：本申请是针对用于竖直存储器阵列的晶体管配置。存储器装置可实施多晶体管架构，例如双晶体管架构，其可操作以将支柱与位线耦合。举例来说，存储器装置可包含延伸穿过存储器阵列的层级的导电支柱。所述支柱可经由第一晶体管与第一位线耦合且经由第二晶体管与第二位线耦合。为存取与所述支柱耦合的存储器单元，所述存储器装置可将与所述存储器单元耦合的字线偏置到第一存取电压，将所述位线中的一个偏置到第二存取电压，激活所述晶体管中的一个以将所述支柱与所述位线中的所述一个耦合，以及解除激活另一个晶体管以将所述支柱与所述位线中的另一个隔离。
本发明授权用于竖直存储器阵列的晶体管配置在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 导电支柱，其延伸穿过存储器阵列的多个层级，其中在所述多个层级中的每一层级处，所述存储器阵列的一或多个存储器单元耦合在所述导电支柱与相应字线之间； 第一晶体管，其能够操作以至少部分地基于所述第一晶体管的栅极处的第一电压而将所述导电支柱与第一位线耦合；以及 第二晶体管，其能够操作以至少部分地基于所述第二晶体管的栅极处的第二电压而将所述导电支柱与第二位线耦合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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