南京大学袁洪涛获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利过渡金属氟化物超离子导体介电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118522756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410562967.2，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权过渡金属氟化物超离子导体介电薄膜及其制备方法是由袁洪涛;李泽亚;孟奎;陈朋;申艺成;黄俊伟;秦峰;邱彩玉设计研发完成，并于2024-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本过渡金属氟化物超离子导体介电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种过渡金属氟化物超离子导体介电薄膜及其制备方法，该超离子导体介电薄膜由过渡金属氟化物超离子导体通过热蒸发法制得，所述过渡金属氟化物超离子导体选自氟化钪，氟化钇，氟化钛，氟化铪，氟化锰，氟化亚铁，氟化镍。本发明通过热蒸发的方式使得过渡金属氟化物源材料在蒸发系统中加热蒸发成气态，气态的氟化物会直接粘附在置于源材料上侧的衬底上并重结晶，从而使过渡金属氟化物的厚度可控，缺陷数量可控并且具有很高的集成性，使得超离子过渡金属氟化物介电材料在设计和制造新型功能器件方面能显现出巨大潜力。
本发明授权过渡金属氟化物超离子导体介电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超离子导体介电薄膜，其特征在于，由过渡金属氟化物超离子导体采用热蒸发法制备得到，制备过程为：先将过渡金属氟化物超离子导体进行研磨，然后将其置于热蒸发系统的加热柱上，当系统真空度至10-5Pa以上时开始蒸镀，过渡金属氟化物超离子导体以0.2-0.4Ås的速率蒸发沉积在基底表面，至厚度达到10-20nm，调节速率至0.8-1.0Ås，直至达到目标厚度；在蒸镀过程中基底的温度控制在200-600K； 所述超离子导体介电薄膜的电导率为10-5-10-2Scm，低频电容为0.4-70.3μFcm2，高频电容为0.01-0.30μFcm2，漏电流密度小于10-5Acm2，表面粗糙度均方根小于1nm，氟空位含量为0.01-15％。
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