北京大学王玮获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种用于混合键合微区应力的监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410974555.X，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权一种用于混合键合微区应力的监测方法是由王玮;杨宇东;张驰设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于混合键合微区应力的监测方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种用于混合键合微区应力的监测方法。该方法包括：提供两个基础芯片；分别在两个所述基础芯片的键合面上形成混合键合的金属介质结构；将所述金属介质结构中的金属结构制作成应力表征结构，得到两个目标基础芯片；将两个所述目标基础芯片进行混合键合，键合后监测应力表征结构的形变；根据所述应力表征结构的形变得到两个所述目标基础芯片混合键合微区的应力。本申请中，将用于混合键合的金属介质结构中的金属结构制作成了应力表征结构，在两目标芯片混合键合后，可以通过应力表征结构的形变来原位监测混合键合微区的应力，从而解决了混合键合微区应力难以原位在线监测的问题，可以实现混合键合微区应力变化的在线监测。
本发明授权一种用于混合键合微区应力的监测方法在权利要求书中公布了：1.一种用于混合键合微区应力的监测方法，其特征在于，包括： 提供两个基础芯片； 分别在两个所述基础芯片的键合面上形成混合键合的金属介质结构；其中，在所述基础芯片上形成用于混合键合的金属介质结构，包括：在所述基础芯片上形成介质层；将所述介质层图案化，形成介质结构；采用大马士革工艺在所述介质结构中形成金属结构，得到金属介质结构； 将所述金属介质结构中的金属结构制作成应力表征结构，得到两个目标基础芯片；其中，将所述金属介质结构中的金属结构制作成应力表征结构，包括：对所述金属结构的中部进行刻蚀，以在所述金属结构中形成凹槽，将具有该凹槽的金属结构作为应力表征结构； 将两个所述目标基础芯片进行混合键合，键合后监测应力表征结构的形变； 根据所述应力表征结构的形变得到两个所述目标基础芯片混合键合微区的应力。
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