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新存科技(武汉)有限责任公司刘国强获国家专利权

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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利相变存储器的测试结构及测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119207525B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411210518.8,技术领域涉及:G11C29/12;该发明授权相变存储器的测试结构及测试方法是由刘国强;雷威锋;王思涵;张恒;付志成;刘峻设计研发完成,并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

相变存储器的测试结构及测试方法在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种相变存储器的测试结构及测试方法。测试结构包括:多层堆叠结构。每层堆叠结构包括:阵列区和冗余区;其中,冗余区包围部分阵列区。多层堆叠结构沿第一方向错位堆叠。每层堆叠结构的阵列区沿第一方向的投影相互重合。

本发明授权相变存储器的测试结构及测试方法在权利要求书中公布了:1.一种相变存储器的测试结构,其特征在于,包括:沿第一方向错位堆叠的多层堆叠结构; 每层所述堆叠结构包括:阵列区和冗余区;其中,所述冗余区包围部分所述阵列区; 每层所述堆叠结构的阵列区沿所述第一方向的投影相互重合; 每层所述堆叠结构包括:位线层和字线层;所述位线层和所述字线层,分别位于每层所述堆叠结构沿所述第一方向相对的两面; 其中,所述位线层包括:多个位线区;所述字线层包括:多个字线区; 多个所述字线区均沿第二方向延伸,且相邻两个所述字线区错位排布;多个所述位线区均沿第三方向延伸,且相邻两个所述位线区错位排布; 每个所述字线区中,设置沿所述第二方向延伸的多条字线;每个所述位线区中,设置沿所述第三方向延伸的多条位线; 其中,所述第二方向和所述第三方向相交;所述第二方向和所述第三方向,均垂直于所述第一方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司,其通讯地址为:430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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