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龙图腾网获悉广西飓芯科技有限责任公司申请的专利一种无损伤的半导体激光器腔面制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119401204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411343071.1，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权一种无损伤的半导体激光器腔面制备方法是由吴荣坤;付建波;宗华;蒋盛翔;孟令海;胡晓东;罗郑彪设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无损伤的半导体激光器腔面制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体激光器技术领域，具体涉及一种无损伤的半导体激光器腔面制备方法。该方法包括：定位半导体晶圆的晶向，得到半导体晶圆的最易解离面；刻蚀出平行于最易解离面的解离引导槽，在刻蚀过程中对解离引导槽的脊形保护区域的棱角处进行圆弧化过渡处理；利用解离引导槽，通过划片工艺和裂片工艺使半导体晶圆自然解离，得到光滑的半导体激光器腔面。本发明提供两种解离引导槽转折处圆弧过渡的技术方案，能够得到光滑平整无损伤高质量的半导体激光器腔面，在其镀完腔面膜后能够避免氮化镓等半导体材料与空气中的水汽、氧气等气体发生反应，提高了氮化镓等半导体激光器的使用寿命，能够得到可靠稳定的半导体激光器。

本发明授权一种无损伤的半导体激光器腔面制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无损伤的半导体激光器腔面制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 定位半导体晶圆的晶向，得到半导体晶圆的最易解离面； 刻蚀出平行于最易解离面的解离引导槽，在刻蚀过程中对解离引导槽的脊形保护区域的棱角处进行圆弧化过渡处理； 利用解离引导槽，通过划片工艺和裂片工艺使半导体晶圆自然解离，得到光滑的半导体激光器腔面； 所述圆弧化过渡处理通过多步骤刻蚀解离引导槽工艺实现，所述多步骤刻蚀解离引导槽工艺包括： 对晶圆进行光刻工艺，得到梯形光刻胶； 使用电感耦合等离子体刻蚀机对半导体晶圆进行刻蚀； 使用渐变式多步骤刻蚀工艺，通过增加光刻胶与氮化镓的选择比得到解离引导槽，其棱角处呈现圆弧样式过渡； 或者，所述圆弧化过渡处理通过光刻胶自修正工艺实现，所述光刻胶自修正工艺包括： 对晶圆进行光刻工艺，得到梯形光刻胶； 使用电感耦合等离子体刻蚀机对半导体晶圆进行刻蚀，光刻胶形貌由梯形刻蚀至半圆形并且胶宽收窄、胶厚降低，同时解离引导槽刻蚀出梯形，而后继续刻蚀，棱角处因为光刻胶形变而呈现圆弧样式过渡。

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