长江存储科技有限责任公司王溢欢获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311161973.9，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备是由王溢欢;张宇澄;黄武根;肖亮;苗利娜设计研发完成，并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在避免连接区的沟道结构漏电影响阵列区的沟道结构的存储功能，提高半导体结构的良品率。本申请实施例中提供的半导体结构包括位于阵列区的第一沟道结构和位于连接区的第二沟道结构，半导体结构还包括覆盖在堆叠结构上的第一绝缘隔离层，以及位于第一绝缘隔离层上的半导体层，第一半导体柱穿过第一绝缘隔离层与半导体层连接，第二半导体柱位于第一绝缘隔离层内，第一绝缘隔离层可以阻止半导体层在第二沟道结构处与栅线层直接连接，进而避免了第二沟道结构的漏电影响第一沟道结构的存储功能，提高了半导体结构的良品率。
本发明授权半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 堆叠结构，所述堆叠结构包括阵列区和连接区，所述阵列区和所述连接区相邻设置； 沟道结构，所述沟道结构包括第一沟道结构和第二沟道结构，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构均贯穿所述堆叠结构，所述第一沟道结构位于所述阵列区，所述第二沟道结构位于所述连接区，所述第一沟道结构包括第一半导体柱；所述第二沟道结构包括第二半导体柱； 第一绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层覆盖在所述堆叠结构上，所述第一半导体柱远离所述堆叠结构的一端穿过所述第一绝缘隔离层，所述第二半导体柱远离所述堆叠结构的一端位于所述第一绝缘隔离层内； 半导体层，所述半导体层与位于所述第一绝缘隔离层背离所述堆叠结构的一侧的部分所述第一半导体柱连接。
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