武汉新芯集成电路股份有限公司徐瑞璋获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411748238.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及其制造方法是由徐瑞璋;孙兆晋;邢恩盈;屈启明;王琼;刘念;潘冬设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源区；隔离层，形成于所述有源区的衬底中；栅极层，形成于所述有源区的衬底上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述主栅与所述扩展栅断开，所述主栅与所述扩展栅在所述衬底上的投影通过所述隔离层连接。本发明使得能够在保持栅极层原有作用的同时，还能消除寄生电容对半导体器件性能的影响。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括有源区； 隔离层，内嵌于所述有源区的衬底中； 栅极层，形成于所述有源区的衬底上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述主栅与所述扩展栅断开，所述主栅与所述扩展栅在所述衬底上的投影通过所述隔离层连接； 侧墙，形成于所述主栅和所述扩展栅的侧壁； 层间介质层，形成于所述隔离层上，所述层间介质层覆盖所述主栅和所述扩展栅，所述层间介质层和所述侧墙填充所述主栅和所述扩展栅之间的间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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