拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司娄一荻获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利射频杆状态的检测方法、装置及薄膜沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119667561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411833571.3，技术领域涉及：G01R31/69；该发明授权射频杆状态的检测方法、装置及薄膜沉积方法是由娄一荻;王玉鑫;张亚新设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频杆状态的检测方法、装置及薄膜沉积方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种射频杆状态的检测方法、一种射频杆状态的检测装置及一种薄膜沉积方法。所述检测方法包括以下步骤：在所述加热盘的上表面放置一电极板，并使所述电极板的下表面充分接触所述加热盘的上表面；将电容测试仪的一端连接到所述电极板，并将其另一端连接到所述射频杆的下端，以确定所述电极板到所述射频杆的下端的实测电容值；以及根据所述实测电容值，确定所述射频杆与所述射频电极的连接状态。本发明可以通过采集电极板到射频杆的下端的实测电容值，并根据实际电容值进行判断，用于在线对射频杆与射频电极之间的连接状态进行检测，从而防止射频杆与射频电极接触不良对薄膜沉积工艺的精度和稳定性造成影响。
本发明授权射频杆状态的检测方法、装置及薄膜沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种射频杆状态的检测方法，其中，所述射频杆由导电材料制成，其上端连接薄膜沉积设备的加热盘中的射频电极，其特征在于，所述检测方法包括以下步骤： 在所述加热盘的上表面放置一电极板，并使所述电极板的下表面充分接触所述加热盘的上表面； 将电容测试仪的一端连接到所述电极板，并将其另一端连接到所述射频杆的下端，以确定所述电极板到所述射频杆的下端的实测电容值；以及 根据所述实测电容值，确定所述射频杆与所述射频电极的连接状态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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