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龙图腾网获悉上海盛剑半导体科技有限公司申请的专利一种燃烧系统、废气燃烧控制方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119755641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202412000062.9，技术领域涉及：F23G7/06；该发明授权一种燃烧系统、废气燃烧控制方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质是由张伟明;余欢设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种燃烧系统、废气燃烧控制方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种燃烧系统、废气燃烧控制方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质，涉及废气处理技术领域。该燃烧系统包括反应室、排风机、第一控制阀、第二控制阀以及第一压力传感器。自入口至出口，反应室内包括位于入口侧的第一燃烧区域和位于出口侧的第二燃烧区域。相应地，反应室还设有第一补气口和第二补气口，经由第一补气口和第二补气口分别向第一燃烧区域和第二燃烧区域通入压缩空气，以便于依次与废气发生反应，实现分级燃烧。为便于控制通入的压缩空气气流量，维持反应室的内腔压力始终处于稳定状态，第一控制阀和第二控制阀分别设置于与第一补气口和第二补气口连通的供气管路上。

本发明授权一种燃烧系统、废气燃烧控制方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种应用于燃烧系统的废气燃烧控制方法，所述燃烧系统10包括反应室100、排风机500、第一控制阀610、第二控制阀630以及第一压力传感器710；其中， 所述反应室100设有用于通入废气的入口101和用于排出废气的出口102，所述排风机500靠近于所述出口102设置； 自所述入口101至所述出口102，所述反应室100内包括位于所述入口101侧的第一燃烧区域210和位于所述出口102侧的第二燃烧区域230；所述反应室100还设有第一补气口103和第二补气口104；经由所述第一补气口103和所述第二补气口104分别向所述第一燃烧区域210和所述第二燃烧区域230通入压缩空气； 所述第一控制阀610和所述第二控制阀630分别设置于与所述第一补气口103和所述第二补气口104连通的供气管路上； 所述第一压力传感器710用于获取所述反应室100内的所述第一燃烧区域210的第一压力值； 所述反应室100内还包括位于所述第一燃烧区域210和所述第二燃烧区域230之间的第三燃烧区域250；所述反应室100还设有对应于所述第三燃烧区域250的第三补气口105，所述第三补气口105用于向所述第三燃烧区域250通入所述压缩空气； 所述燃烧系统10还包括第三控制阀650和第三压力传感器750，所述第三控制阀650设置于与所述第三补气口105连通的供气管路上，所述第三压力传感器750用于获取所述反应室100内所述第三燃烧区域250的第二压力值； 其特征在于：所述方法包括： 在废气通入所述反应室100的情况下，控制所述排风机500、所述第一控制阀610、所述第二控制阀630以及所述第三控制阀650开启； 获取所述反应室100内的所述第一压力值和所述第二压力值； 若所述第一压力值与第一预设压力值之间的差值大于第一预设范围，控制调小所述第一控制阀610的开度至第一预设开度； 若所述第二压力值与第二预设压力值之间的差值大于第二预设范围，控制调小所述第三控制阀650的开度至第二预设开度； 其中，所述第一预设开度的数值小于所述第二预设开度的数值。

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