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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种低损耗的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510107612.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种低损耗的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法是由邓小川;王浩;叶子轩;李轩;张波设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低损耗的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法，器件结构包括：N+衬底、N‑外延层、N+缓冲层、P型阱区、N+源区、P+屏蔽区、多晶硅栅极、源极金属和漏极金属。本发明基于非对称沟槽栅碳化硅MOSFET器件，其在碳化硅沟槽的一侧有沟道，另一侧被P+包裹。集成的FinFET结构增加了沟道密度，同时，极窄的Fin形台面使沟道处电场强度减弱、界面散射减弱，从而使fin形台面内沟道的迁移率增加。另外，包裹栅沟槽的P+结构降低了沟槽拐角的栅氧化层电场，因此引入FinFET结构后器件栅氧化层电场强度处于安全工作范围。

本发明授权一种低损耗的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗的沟槽栅碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：N+衬底3，所述N+衬底3的上方依次设置N+缓冲层2和N-漂移区1；所述N-漂移区1上方设置栅极沟槽，沟槽内有栅氧化层8和多晶硅栅极9；所述栅极沟槽一侧有P型阱区6和P型阱区6上方的N+源区7，二者形成了位于沟槽侧壁的沟道；所述N-漂移区1上分别设有P型屏蔽区A4和P型屏蔽区B5，所述P型屏蔽区A4包裹了栅极沟槽；所述P型屏蔽区A4、P型屏蔽区B5和N+源区7上方设置源极金属A10和源极金属B11，源极金属B11与P型屏蔽区A4、P型屏蔽区B5和N+源区7形成欧姆接触；所述器件底部设置漏极金属12，与N+衬底3形成欧姆接触； 所述栅极沟槽内集成了FinFET结构，所述栅极沟槽内集成的FinFET结构具有宽度小于300nm的Fin宽；该结构包括所述N-漂移区1、N+缓冲层2、N+衬底3、P型阱区6、多晶硅栅极9和N+源区7；N+缓冲层2位于N+衬底3之上，N-漂移区1位于N+缓冲层2之上，N-漂移区1之上有P型阱区6、P型阱区6上方的N+源区7，栅极沟槽穿过N+源区7、P型阱区6和N-漂移区1，沟槽内有多晶硅栅极9，所述栅极沟槽内集成的FinFET结构被P型屏蔽区A4所包裹。

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