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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种金属镧掺杂耦合氧空位的氧化钌基整体式电极的制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311453605.1，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种金属镧掺杂耦合氧空位的氧化钌基整体式电极的制备方法与应用是由邓德会;王作超;刘艳廷设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属镧掺杂耦合氧空位的氧化钌基整体式电极的制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种金属镧掺杂耦合氧空位的氧化钌基整体式电极的制备方法与应用，属于电化学材料技术领域。本发明首先去除金属导电基底或碳基底表面的杂质，然后配制的含有钌盐和镧盐的水溶液，在红外灯照射下，在金属导电基底或碳基底上滴涂配制的溶液，烘干，在氧化气氛下，于300～500℃下焙烧1～5h，降温后得到，本发明的制备方法能够制备得到非负载型整体式的氧化钌基催化剂，此方法普适性广，条件容易控制，易于操作。该方法所制备的金属镧掺杂耦合氧空位的氧化钌基整体式电极，可作为酸性析氧反应的阳极材料，展现出优良的性能和广阔的应用前景。

本发明授权一种金属镧掺杂耦合氧空位的氧化钌基整体式电极的制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种金属镧掺杂耦合氧空位氧化钌基整体式电极的制备方法，包括以下步骤： 1去除金属导电基底或碳基底表面的杂质； 2配制的含有钌盐和镧盐的水溶液； 3在红外灯照射下，在金属导电基底或碳基底上滴涂步骤2配制的溶液，烘干； 4将步骤3得到的基底前驱体在氧化气氛下，于300~500℃下焙烧1~5h，降温，即得； 所述的碳基底为碳纸、碳布或碳毡中的一种；所述的金属导电基底为钛网或泡沫钛的一种；碳基底或金属导电基底的面积为1～100cm2； 步骤1中，利用以下两种方法中的任意一种去除金属导电基底或碳基底表面的杂质： 一、溶液清洗法：将基底置于去离子水、盐酸溶液、丙酮、乙醇中，超声或搅拌清洗，最后使用去离子水再次清洗，吹干或烘干待用；去离子水、盐酸溶液、丙酮、乙醇的顺序不限； 二、氢气还原法：将基底在氢气或含有氢气的惰性气体的还原性气氛中于100-300℃下还原吹扫1小时以上，最后降至室温，取出待用； 步骤2中，钌盐为羰基钌、氯化钌或乙酰丙酮钌中的一种；钌盐的浓度为0.01molL～0.05molL，镧盐的浓度为3mmolL～50mmolL；溶剂为水。

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