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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于P埋层的氮化物增强型场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510071359.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于P埋层的氮化物增强型场效应晶体管是由陶鸿昌;刘劭珂;许晟瑞;张涛;苏华科;高源;刘旭;王心颢;朱家铎;谢磊;郝跃设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于P埋层的氮化物增强型场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于P埋层的氮化物增强型场效应晶体管，包括：依次堆叠的衬底层、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层、InN帽层；其中，GaN缓冲层内开设有凹槽，凹槽底部制备有P‑GaN埋层，P‑GaN埋层的厚度小于或等于凹槽的深度，P‑GaN埋层用于局部耗尽GaN沟道层中的二维电子气；帽层上间隔设置有源极金属层、漏极金属层和栅极金属层。该装置通过在GaN缓冲层中埋设用于耗尽GaN沟道层中的二维电子气的P‑GaN埋层，缩短氮化物增强型场效应晶体管中栅极与沟道的距离，更有利于增强栅极到沟道的电场强度，提高器件的栅控能力，具有更优良的器件性能。

本发明授权一种基于P埋层的氮化物增强型场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于P埋层的氮化物增强型场效应晶体管，其特征在于，包括：依次堆叠的衬底层1、AlN成核层2、GaN缓冲层3、GaN沟道层5、AlN势垒层6和InN帽层7； 其中，所述GaN缓冲层3内开设有凹槽，所述凹槽底部制备有P-GaN埋层4，所述P-GaN埋层4的厚度等于所述凹槽的深度，所述P-GaN埋层4用于局部耗尽所述GaN沟道层5中的二维电子气； 其中，所述AlN势垒层6和所述GaN沟道层5构成AlNGaN异质结，所述AlN势垒层6的厚度取值范围为3nm~11nm，且所述AlNGaN异质结通过更高极化产生更高密度的二维电子气，同时所述P-GaN埋层4通过耗尽所述GaN沟道层5中与所述P-GaN埋层4位置对应的二维电子气，以缩短栅极与沟道的距离并增强栅控电场； 所述InN帽层7上间隔设置有源极金属层8、漏极金属层9和栅极金属层10，且所述栅极金属层10位于所述源极金属层8和所述漏极金属层9之间；其中，InN帽层7用于降低所述源极金属层8和所述漏极金属层9的接触电阻，且所述InN帽层7通过其与金属功函数差来补偿所述AlN势垒层6的欧姆接触制作难题。

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