深圳市化讯半导体材料有限公司邓锦泉获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市化讯半导体材料有限公司申请的专利一种Micro-LED激光巨量转移释放材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119955369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510116159.8，技术领域涉及：C09D151/00；该发明授权一种Micro-LED激光巨量转移释放材料及其制备方法和应用是由邓锦泉;梁迪斯;曾宪旺设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Micro-LED激光巨量转移释放材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种Micro‑LED激光巨量转移释放材料及其制备方法和应用。所述Micro‑LED激光巨量转移释放材料包括如下质量百分含量的组分：含偶氮苯基团的化合物10‑30％、辅料树脂10‑30％、偶联剂0.1‑5％、流平剂0.05‑2％。本发明通过对Micro‑LED激光巨量转移释放材料的具体组成进行设计，进一步通过含偶氮苯基团的化合物的使用，解决了Micro‑LED巨量转移过程中，使用到的激光巨量转移释放材料在强碱条件下附着力差和不耐高温制程的导致释放缺陷的技术问题。
本发明授权一种Micro-LED激光巨量转移释放材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED激光巨量转移释放材料，其特征在于，所述Micro-LED激光巨量转移释放材料包括如下质量百分含量的组分： 含偶氮苯基团的化合物10-30%； 辅料树脂10-30%； 偶联剂0.1-5%； 流平剂0.05-2%； 所述含偶氮苯基团的化合物中偶氮苯基团的质量百分含量为30-100%。
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