浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司何晶晶获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利基于机器视觉的外延片缺陷定位方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120655618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510787137.4,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权基于机器视觉的外延片缺陷定位方法是由何晶晶;潘丽美;余超设计研发完成,并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于机器视觉的外延片缺陷定位方法在说明书摘要公布了:本发明涉及基于机器视觉的外延片缺陷定位方法,涉及缺陷定位领域,通过采集外延片生长过程中的控制参数序列来预测位错和裂纹规模参数,进而配置显微图像采集区域数量,在外延片上框选识别区域并采集显微图像,利用机器视觉进行位错和裂纹识别,并在识别到位错时预测其传播方向,同时处理位错与裂纹共存时的裂纹影响系数以校正裂纹区域数量,最后按照位错传播方向继续识别与校正,直至达到预设的位错和裂纹区域数量或遍历完成识别区域,解决了难以综合考虑外延片生长过程中的控制参数、缺陷传播规律和相互影响,导致缺陷检测效率和准确性不足的技术问题,实现了外延片缺陷的精准定位,显著提高了外延片缺陷检测的效率和准确性。
本发明授权基于机器视觉的外延片缺陷定位方法在权利要求书中公布了:1.基于机器视觉的外延片缺陷定位方法,其特征在于,所述方法包括: 采集外延片生长过程中的控制参数序列,进行外延片的位错规模参数预测和裂纹缺陷规模参数预测,获得位错规模参数和裂纹规模参数,对外延片进行显微图像采集区域数量配置,获得位错区域数量和裂纹区域数量; 在外延片上随意框选识别区域,采集显微图像,采用机器视觉进行位错识别和裂纹识别,在识别存在位错时,进行位错传播方向预测,获得位错传播方向,在同时存在位错和裂纹时,处理获取裂纹影响系数,对所述裂纹区域数量进行校正,获得校正裂纹区域数量,其中,所述裂纹影响系数包括裂纹减少系数和裂纹增加系数,在显微图像内位错终止裂纹时识别获得裂纹减少系数,在显微图像内位错分裂裂纹时识别获得裂纹增加系数,根据累计识别的至少一个识别区域内的全部裂纹减少系数或裂纹增加系数,计算获得总裂纹影响系数,对所述裂纹区域数量进行校正; 按照所述位错传播方向,继续框选识别区域,进行位错识别、裂纹识别和裂纹区域数量的校正,直到识别的位错缺陷数量和裂纹缺陷数量分别达到位错区域数量和最终校正的裂纹区域数量,或识别区域遍历框选完成,完成缺陷识别定位。
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