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龙图腾网获悉原集微(上海)电子有限公司申请的专利通孔刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121192058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511725667.2，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权通孔刻蚀方法是由包文中设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本通孔刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种通孔刻蚀方法，通过形成具有特定倾角α、底部宽度及厚度的灰度掩膜层，解决了现有技术角度调控不灵活、工艺窗口狭窄、角度容差大以及晶圆级刻蚀均匀性差的问题。通过调整掩膜层的倾角α，实现对通孔倾角β的连续调节和精确控制，从而显著提升了通孔刻蚀的灵活性和工艺窗口；通过设计掩膜层的厚度避免灰度掩膜层过度消耗；通过优化灰度掩膜层倾斜面为阶梯状，极大缩短形成灰度掩膜层时的灰度曝光时间，进而提高效率，且形成与灰度掩膜层台阶数量相等的通孔阶梯；通过根据待形成的通孔的底部宽度设计相等的灰度掩膜层的底部宽度实现对通孔宽度的灵活调整。

本发明授权通孔刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种通孔刻蚀方法，其特征在于，所述通孔刻蚀方法包括： S1，提供待形成通孔的衬底； S2，于所述衬底上形成掩膜层； S3，根据待形成的所述通孔的倾角β、待形成的所述通孔的深度H、所述掩膜层的刻蚀速率、所述衬底的刻蚀速率及刻蚀速率选择比，依据公式及，设计灰度掩膜层的倾角α及刻蚀时间t，并根据待形成的所述通孔的底部宽度设计相等的所述灰度掩膜层的所述底部宽度；且步骤S2中形成的所述掩膜层的厚度h不小于； S4，基于倾角α及所述底部宽度对所述掩膜层进行灰度曝光及显影，以形成具有倾角α及所述底部宽度的所述灰度掩膜层，且所述灰度掩膜层具有倾角α的倾斜面上具有若干个灰度掩膜层台阶，每个所述灰度掩膜层台阶的高度根据所述刻蚀速率选择比k进行设定，使得在所述刻蚀时间t后，各所述灰度掩膜层台阶的高度乘以所述刻蚀速率选择比k，分别对应形成通孔台阶的高度； S5，基于具有倾角α的所述灰度掩膜层及所述刻蚀时间t刻蚀所述衬底，以形成具有倾角β及深度H的阶梯状的所述通孔，且阶梯状的所述通孔的倾斜面上具有与所述灰度掩膜层台阶数量相等的通孔台阶； S6，去除所述灰度掩膜层。

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