中熵科技(北京)有限公司张伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中熵科技(北京)有限公司申请的专利一种透明导电发热材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121518997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610043472.8，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种透明导电发热材料及其制备方法是由张伟;白楠设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种透明导电发热材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种透明导电发热材料及其制备方法，属于导电发热材料技术领域，能够解决现有导电发热材料面电阻高、透光率低、温度均匀性差和使用寿命短的问题。所述制备方法包括：S1、对基底进行预处理，得到处理后基底；S2、在处理后基底上沉积缓冲靶材，形成应力缓冲层；S3、在应力缓冲层上沉积导电发热靶材，形成导电发热层；导电发热靶材为锆掺杂氧化铟；S4、在导电发热层上制备电极层。本发明用于透明半导体发热材料的制备。
本发明授权一种透明导电发热材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种透明导电发热材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： S1、对基底进行预处理，得到处理后基底；在所述处理后基底上沉积附着靶材，形成附着层；在制备附着层时，采用的附着靶材材质包含硅，溅射过程中在纯氩气环境中，通入氧气和氮气作为反应气体，常温溅射形成附着层； S2、在所述附着层上沉积缓冲靶材，形成应力缓冲层；所述缓冲靶材为镓掺杂氧化锌或铝掺杂氧化锌； S3、在所述应力缓冲层上沉积导电发热靶材，形成导电发热层；所述导电发热靶材为锆掺杂氧化铟；在退火环境中对所述导电发热层进行原位退火20min~40min；所述退火环境为环境温度80℃~150℃、氧分压80ppm~120ppm； S4、在所述导电发热层上制备电极层；在所述电极层上沉积保护靶材，形成抗氧化保护层。
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