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龙图腾网获悉浙江珏芯微电子有限公司申请的专利验证光刻胶层残留的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121522969B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610037738.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权验证光刻胶层残留的方法是由帅浓;谭必松;李伟伟;毛剑宏;龚汉红设计研发完成，并于2026-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本验证光刻胶层残留的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种验证光刻胶层残留的方法，包括以下步骤：提供多个衬底，并形成覆盖各所述衬底表面的诊断膜层；形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述诊断膜层表面；对所述光刻胶层进行曝光；采用多组不同的光刻工艺参数组合，对不同所述衬底上的所述光刻胶层和所述诊断膜层分别进行显影和刻蚀；根据不同所述衬底上所述诊断膜层的残留情况，判断不同所述工艺参数组合所对应的所述光刻胶层的残留情况；以及，基于所述光刻胶层的残留情况从多组所述光刻工艺参数组合中选择适用于当前光刻工艺的最优光刻工艺参数。本发明通过平行实验验证在不同光刻工艺参数下光刻胶的残留情况，并据此筛选出最优光刻工艺参数，方法普适性强且成本低廉。

本发明授权验证光刻胶层残留的方法在权利要求书中公布了：1.一种验证光刻胶层残留的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供多个衬底，并形成覆盖各所述衬底表面的诊断膜层，通过控制所述诊断膜层的厚度，使得所述诊断膜层呈现的颜色与所述衬底的颜色相异，以使得二者在视觉上能够区分； 形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述诊断膜层表面； 对所述光刻胶层进行曝光； 采用多组不同的光刻工艺参数组合，对不同所述衬底上的所述光刻胶层和所述诊断膜层分别进行显影和刻蚀； 根据不同所述衬底上所述诊断膜层的残留情况，判断不同所述工艺参数组合所对应的所述光刻胶层的残留情况，具体包括如下步骤：观察各组合进行刻蚀后所述诊断膜层图形底部颜色，以此判断所述诊断膜层的残留情况；若刻蚀后的所述诊断膜层图形底部呈现所述衬底颜色，则判定所述光刻胶层无残留；若所述诊断膜层图形底部未呈现所述衬底颜色，则延长刻蚀时间进行二次观察，若仍未呈现所述衬底颜色，则判断所述光刻胶层存在残留； 基于所述光刻胶层的残留情况从多组所述光刻工艺参数组合中选择适用于当前光刻工艺的最优光刻工艺参数。

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