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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于GaAs IPD工艺的对称源-负载耦合带通滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121791839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610268205.0，技术领域涉及：H03H7/01；该发明授权一种基于GaAs IPD工艺的对称源-负载耦合带通滤波器是由尹文韬设计研发完成，并于2026-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于GaAs IPD工艺的对称源-负载耦合带通滤波器在说明书摘要公布了：本发明属于射频微波无源器件技术领域，公开了一种基于GaAsIPD工艺的对称源‑负载耦合带通滤波器。该滤波器包括集成于GaAs基片上的MIM接地电容、耦合电容、谐振电容及平面螺旋电感，输入端与输出端两侧分别设置对称的Pi型结构，中间由耦合电容与双并联接地谐振器构成源‑负载耦合滤波回路，在通带外两侧引入传输零点并在高频侧形成附加零点。通过上述结构，可在1GHz‑10GHz范围内实现低插入损耗、高带外抑制及小型化集成。

本发明授权一种基于GaAs IPD工艺的对称源-负载耦合带通滤波器在权利要求书中公布了：1.一种基于GaAsIPD工艺的对称源-负载耦合带通滤波器，其特征在于，包括设置在GaAs基片上的无源电路以及与所述无源电路电连接的输入端和输出端；所述无源电路包括接地电容C1、接地电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4、耦合电容C5、谐振电容C6、谐振电容C7、接地电容C8、接地电容C9以及电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5； 接地电容C1的一端与电感L1的一端相连，该相连节点与输入焊盘连接构成输入端；电感L1的另一端同时与接地电容C2的一端、耦合电容C3的一端以及耦合电容C4的一端相连，接地电容C1的另一端与接地电容C2的另一端共同接地；接地电容C1、电感L1、接地电容C2构成第一Pi结构； 耦合电容C4的另一端与电感L2的一端、谐振电容C6的一端以及电感L3的一端电连接，谐振电容C6的另一端与电感L3的另一端电连接并接地，构成第一并联接地谐振器； 电感L2的另一端与耦合电容C5的一端、谐振电容C7的一端以及电感L4的一端电连接，谐振电容C7的另一端与电感L4的另一端电连接并接地，构成第二并联接地谐振器； 耦合电容C5的另一端与耦合电容C3的另一端、接地电容C8的一端以及电感L5的一端电连接；电感L5的另一端与接地电容C9的一端相连，该相连节点与输出焊盘Port2连接构成输出端，接地电容C8的另一端和接地电容C9的另一端接地，由此接地电容C8、电感L5、接地电容C9构成第二Pi结构； 所述耦合电容C3与所述耦合电容C4、电感L2、耦合电容C5以及所述第一并联接地谐振器和第二并联接地谐振器共同构成源-负载耦合滤波回路，从而形成对称的源-负载耦合带通滤波器结构。

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