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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种光电集成器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210098675.9，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权一种光电集成器件及制备方法是由严嘉彬;石帆;杨凌云;吴洁;戴叶玲设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电集成器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电集成器件及其制作方法，包括：多个有序排列的基本单元，所述基本单元包括多量子阱MicroLED和垂直结构GaNMOSFET；所述蓝宝石衬底的顶层设有键合介质层，所述蓝宝石衬底的底层为器件的出光面；所述多量子阱MicroLED设于键合介质层的顶层；所述垂直结构GaNMOSFET设于多量子阱MicroLED的上方，所述垂直结构GaNMOSFET的漏区与所述多量子阱MicroLED的N区通过共享二极管N‑GaN结构层串联；本发明的发光器件与驱动电子器件制作在同一块芯片上，不仅可利用现有的GaN工艺平台实现批量化制造，降低生产成本，还具备体积小、速度快、可靠性高的显著优势；GaNMOSFET采用新颖的垂直结构设计，可极大地缩短驱动晶体管的沟道长度，对提升集成器件的性能和集成度具有重要意义。

本发明授权一种光电集成器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电集成器件，其特征在于，包括： 多个有序排列的基本单元，所述基本单元包括多量子阱MicroLED和垂直结构GaNMOSFET； 蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的顶层设有键合介质层，所述蓝宝石衬底的底层为器件的出光面； 所述多量子阱MicroLED设于键合介质层的顶层；所述垂直结构GaNMOSFET设于多量子阱MicroLED的上方，所述垂直结构GaNMOSFET的漏区与所述多量子阱MicroLED的N区通过共享二极管N-GaN结构层串联； 所述垂直结构GaNMOSFET自下而上依次包括二极管N-GaN结构层、晶体管P-GaN沟道层、晶体管源区N-GaN结构层和晶体管源极金属层； 其中，二极管N-GaN结构层、晶体管P-GaN沟道层和晶体管源区N-GaN结构层的侧壁上覆盖有晶体管栅极金属层，在所述晶体管栅极金属层的外侧设有隔离有栅极介质层。

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