材料科学姑苏实验室崔志远获国家专利权
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龙图腾网获悉材料科学姑苏实验室申请的专利一种铝基超导电路中干法刻蚀的异常处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115589768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211328143.6，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种铝基超导电路中干法刻蚀的异常处理方法是由崔志远;熊康林;冯加贵;郭丰设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铝基超导电路中干法刻蚀的异常处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种铝基超导电路中干法刻蚀的异常处理方法，包括以下步骤：1提供样品；2对样品进行加热，而后采用干法刻蚀的方式刻蚀开槽暴露的铝金属层，开槽暴露出介质层，然后立即使用去离子水或草酸清洗刻蚀后的样品，吹干；3采用干法刻蚀的方式刻蚀开槽暴露的介质层；4依次循环重复步骤2和步骤3，直至将开槽暴露的铝金属层和介质层均刻蚀掉，暴露出衬底；5去除残留的光刻胶层。采用本发明提供的异常处理方法，在铝基超导电路干法刻蚀过程中可以有效避免深槽刻蚀后的形貌异常及封堵的风险，且便于操作。
本发明授权一种铝基超导电路中干法刻蚀的异常处理方法在权利要求书中公布了：1.一种铝基超导电路中干法刻蚀的异常处理方法，其特征在于，所述异常处理方法包括以下步骤： 1提供样品： 在衬底的一侧形成包括多层铝金属层和多层介质层的层叠结构，所述铝金属层和所述介质层交替设置，并且所述层叠结构中，最靠近所述衬底的为介质层，最远离所述衬底的为铝金属层； 于所述层叠结构远离所述衬底的一侧形成光刻胶层，并图案化所述光刻胶层，图案化后的光刻胶层包括至少一个开槽，得到样品； 2对样品进行加热，而后采用干法刻蚀的方式刻蚀步骤1中开槽暴露的铝金属层，开槽暴露出介质层，然后立即使用去离子水或草酸清洗刻蚀后的样品，吹干； 3采用干法刻蚀的方式刻蚀开槽暴露的介质层； 4依次循环重复步骤2和步骤3，直至将开槽暴露的铝金属层和介质层均刻蚀掉，暴露出衬底； 5去除残留的光刻胶层； 步骤2所述立即使用去离子水或草酸清洗刻蚀后的样品，具体包括如下步骤： 立即使用去离子水冲洗或涤荡刻蚀后的样品0.5-10.0min，或，立即使用草酸涤荡刻蚀后的样品0.5-10.0min。
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