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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211312094.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT是由刘涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT，二极管器件包括：半导体衬底、第一沟道层、第一势垒层、多个第二沟道层、多个第二势垒层、盖帽层、阳极电极层、阴极电极层、绝缘介质层；通过将多个第二沟道层和多个第二势垒层交替层叠设置设于第一势垒层上，以在其第一侧形成阶梯结构，并在第一侧设置覆盖于阶梯结构和盖帽层的阳极电极层，在其第二侧设置阴极电极层，在阳极电极层和阴极电极层之间设置绝缘介质层，使得阳极和阴极之间的电容具备更高的均匀电场，同时可以从横向和纵向改善电场提升寄生二极管的击穿电压，解决HEMT器件由于缺少体二极管导致在高感性应用场景不稳定的问题。

本发明授权一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT在权利要求书中公布了：1.一种应用于HEMT的二极管器件，其特征在于，所述二极管器件包括： 半导体衬底； 第一沟道层，设于所述半导体衬底上； 第一势垒层，设于所述第一沟道层上； 多个第二沟道层和多个第二势垒层，其中，多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层交替层叠设置设于所述第一势垒层上，底部的所述第二沟道层设于所述第一势垒层上，且多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层的宽度依次减小，以在多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层的第一侧形成阶梯结构； 盖帽层，设于顶部的所述第二势垒层上； 阳极电极层，设于所述阶梯结构和所述盖帽层上； 阴极电极层，设于所述第一沟道层上，且设于多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层的第二侧； 绝缘介质层，设于顶部的所述第二势垒层上，且位于所述阳极电极层与所述阴极电极层之间以及所述盖帽层与所述阴极电极层之间；其中，所述阳极电极层和所述阴极电极层分别与所述HEMT的源极和漏极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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