广州导远电子科技有限公司秦红波获国家专利权
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龙图腾网获悉广州导远电子科技有限公司申请的专利一种激光半导体芯片封装结构、封装方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211096553.2，技术领域涉及：H01S5/02218；该发明授权一种激光半导体芯片封装结构、封装方法和电子设备是由秦红波;符照森;周翼钒;韦盛琴设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光半导体芯片封装结构、封装方法和电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种激光半导体芯片封装结构、封装方法和电子设备，涉及封装工艺技术领域。该封装结构中，第一基板有通孔；在第一基板的通孔中且在第二基板上，设置的激光半导体芯片和引线的高度均不超过第一基板的上表面；在第一基板的通孔中填充有光学胶。借助第一基板通孔中形成的空间，容纳激光半导体芯片和引线，由于引线键合后引线最高点依然低于基板上表面，不影响丝网印刷、贴装元器件和回流焊接，因此可以先进行引线键合再进行回流焊，从而避免了回流焊后钎剂残留对引线键合工艺的影响。
本发明授权一种激光半导体芯片封装结构、封装方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种激光半导体芯片封装结构，其特征在于，包括基板和光学胶12；所述基板包括第一基板1和第二基板2，所述第一基板1和所述第二基板2自上而下层叠设置； 所述第一基板1有通孔；在所述第一基板1的通孔中且在所述第二基板2上，设置有激光半导体芯片6、引线7和导带焊盘4，所述激光半导体芯片6通过所述引线7和导带焊盘4连接，所述激光半导体芯片6和所述引线7的高度均不超过第一基板1的上表面；在所述第一基板1的通孔中填充有光学胶12； 所述基板还包括第三基板3，所述第一基板1、所述第二基板2和所述第三基板3自上而下层叠设置，所述第二基板2有通孔；在所述第二基板2的通孔中且在第三基板3上，设置有反光件11； 所述第二基板2的通孔的所述第一基板1上表面的正投影在所述第一基板1的通孔的所述第一基板1上表面的正投影范围内； 所述反光件11的上表面高于所述第一基板1的上表面，所述光学胶12的上表面与所述第一基板1的上表面平齐。
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