北京航空航天大学赵立东获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种快速制备SnSe晶体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120625179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510852457.3，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种快速制备SnSe晶体的方法是由赵立东;袁保成;常诚设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种快速制备SnSe晶体的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种快速制备SnSe晶体的方法，将晶体生长周期由原本的260h缩短至52h。相较于传统的采用垂直梯度多温区降温法，通过在熔体中心插入石墨棒以达到散热以及平衡内部温区的方法，克服了生长SnSe晶体时中心区域散热困难的难点，在较短时间内成功生长出大型SnSe单晶，并保持了优异的热电性能。具体为先按照化学计量比配料，得到混合物料；将所得混合物料放入石英管中，并在中心固定一根碳棒，随后进行抽真空处理；将石英管置于双温区垂直管式炉中，反应得到对应晶体。采用本发明，可以缩短晶体的制备时间，提高生产效率，应用于大批量生产。
本发明授权一种快速制备SnSe晶体的方法在权利要求书中公布了：1.一种快速制备SnSe晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将Sn，Se，Mo以及SnBr2按Sn：Se：Mo：Br=0.998：0.94~0.97：0.002：0.03~0.06的化学计量比配料，得到混合物料； 2将步骤1得到的混合物料放入尖锥形石英管中； 3将石墨组件置于步骤2的尖锥形石英管中，并对石英管进行抽真空处理； 4将步骤3的尖锥形石英管置于管式炉中，进行合成反应，得到SnSe晶体； 步骤3中，石墨组件包括石墨固定塞和石墨直棒，石墨固定塞为一底部中心镂空的圆柱体，石墨直棒一端插入石墨固定塞底部中心的镂空圆柱区域，石墨直棒另一端插入尖锥形石英管底部的混合物料内，对物料进行导热。
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