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龙图腾网获悉日立能源有限公司申请的专利功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120677849B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480012006.2，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法是由U·维穆拉帕蒂;J·沃贝基;T·维克斯特罗;T·斯蒂亚斯尼设计研发完成，并于2024-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法在说明书摘要公布了：指定了一种功率半导体器件1，该功率半导体器件包括：第一电极2、第一导电类型的第一半导体层3、第一导电类型的漂移层4、不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层5、以及第二电极6，其中，第一半导体层3和第二半导体层5中的至少一者包括氧化物层24，该氧化物层在被功率半导体器件1的终止区8围绕的功率半导体器件1的有源区9中延伸，并且第一半导体层3和第二半导体层5中的至少一者具有斜面结构19。此外，指定了一种用于制造功率半导体器件1的方法。

本发明授权功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，包括： -第一电极2， -第一导电类型的第一半导体层3， -所述第一导电类型的漂移层4， -不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层5，以及 -第二电极6，其中， -所述第一半导体层3包括面向所述第一电极2的第一子层10和面向所述漂移层4的第二子层11， -所述第二半导体层5包括面向所述漂移层4的第三子层12和面向所述第二电极6的第四子层13， -所述第一子层10的最大掺杂浓度高于所述第二子层11的最大掺杂浓度， -所述第四子层13的最大掺杂浓度高于所述第三子层12的最大掺杂浓度， -氧化物层24在被所述功率半导体器件1的终止区8围绕的所述功率半导体器件1的有源区9中延伸，所述氧化物层在所述有源区9和所述终止区8中位于所述第一子层10与所述第一电极2之间， -另一氧化物层25在所述有源区9中位于所述第四子层13与所述第二电极6之间， -所述另一氧化物层25在横向方向上从所述终止区8延伸到所述有源区9中直至另一延伸距离23， -所述第二半导体层5具有在所述终止区8中的斜面结构19，使得所述第二半导体层5在所述终止区8中朝向所述第二电极6逐渐变窄， -所述第一电极2在覆盖所述有源区9和所述终止区8的横向方向上延伸而完全地覆盖所述第一半导体层3，而所述第二电极6仅在所述有源区9上延伸， -所述另一氧化物层25仅在所述有源区9中延伸，并且 -所述第一电极2、所述第一半导体层3、所述漂移层4、所述第二半导体层5和所述第二电极6在竖直方向上沿堆叠方向彼此上下堆叠。

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