广州奥松电子股份有限公司陈新准获国家专利权
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龙图腾网获悉广州奥松电子股份有限公司申请的专利一种掺杂二维材料的柔性基底材料及其传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120793914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510872445.7，技术领域涉及：C01B32/194；该发明授权一种掺杂二维材料的柔性基底材料及其传感器的制备方法是由陈新准;张宾;李娜;马鹏飞;文杰设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掺杂二维材料的柔性基底材料及其传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掺杂二维材料的柔性基底材料及其传感器的制备方法，属于阵列化传感器技术领域。所述电极材料包括二维材料基底、复合掺杂原子层和绝缘隔离层，通过H2等离子体处理形成高密度缺陷位点，结合原子层沉积实现掺杂原子的均匀分布，并采用自对准光刻技术精准集成电极与温敏层。该方案通过复合掺杂协同效应优化二维材料的电子结构，结合多层异质结设计与高精度制备工艺，显著提升电极对微弱压力信号的响应能力，实现传感器在压力与温度检测中的高分辨率与稳定性。本发明在可穿戴设备、医疗监测、机器人触觉感知等领域具有广泛应用前景。
本发明授权一种掺杂二维材料的柔性基底材料及其传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掺杂二维材料的柔性基底材料，其特征在于，包括： 二维材料基底，所述二维材料为石墨烯、二硫化钼、二硒化钨或黑磷中的至少一种； 复合掺杂原子层，所述复合掺杂原子包括氮和硼，氮和硼的原子掺杂比为1:3至3:1，所述复合掺杂原子均匀分布于二维材料基底的表面及晶界缺陷处； 绝缘隔离层，所述绝缘隔离层为氮化硼纳米片和或氧化铝薄膜，覆盖于所述二维材料基底表面，厚度为5-20nm。
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