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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种抽头电感、谐振腔结构、振荡器结构、芯片及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121036694B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510986953.8，技术领域涉及：H03B5/18；该发明授权一种抽头电感、谐振腔结构、振荡器结构、芯片及设备是由秦培;李玉辉;薛泉设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抽头电感、谐振腔结构、振荡器结构、芯片及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抽头电感、谐振腔结构、振荡器结构、芯片及设备，属于电子通信技术领域。抽头电感包括电感Ld和电感Lg；其中，电感Ld和电感Lg之间存在电耦合和磁耦合两种耦合机制；电耦合对应的是电感Ld与电感Lg之间的沿电流方向的电压增强耦合，磁耦合为电感Ld与电感Lg之间的互感耦合。谐振腔结构包括：漏端谐振支路，由并联的电感Ld与电容Cd构成；栅端谐振支路，由并联的电感Lg与电容Cg构成；其中，两个支路以差分形式对称分布，分别连接至振荡器有源部分的漏极与栅极。本发明提出的抽头电感变压器网络，实现了振荡器中漏端到栅端的更大无源增益；基于电‑磁耦合的抽头电感的谐振腔，解决传统结构无法实现更高增益的问题。

本发明授权一种抽头电感、谐振腔结构、振荡器结构、芯片及设备在权利要求书中公布了：1.一种双核振荡器结构，其特征在于，包括两个对称的振荡核心，两个振荡核心均具有独立的电-磁耦合谐振腔，由电感Ld、Lg及并联电容Cd、Cg构成；两个振荡核心之间通过一核的漏电感与另一核的栅电感之间的磁耦合实现耦合连接；电感Ld和电感Lg之间存在电耦合和磁耦合两种耦合机制；电耦合对应的是电感Ld与电感Lg之间的沿电流方向的电压增强耦合，磁耦合为电感Ld与电感Lg之间的互感耦合； 所述振荡核心包括第一NMOS管、第二NMOS管以及谐振腔； 所述谐振腔包括漏端谐振支路和栅端谐振支路； 所述漏端谐振支路包括电感Ld1、电感Ld2和电容Cd，所述栅端谐振支路包括电感Lg1、电感Lg2和电容Cg； 所述电感Ld1的一端连接第一NMOS管的漏极，将第一NMOS管的漏极记为节点D1，另一端连接电源电压；所述电感Ld2的一端连接第二NMOS管的漏极，将第二NMOS管的漏极记为节点D2，另一端连接电源电压；所述电容Cd的两端分别连接节点D1和节点D2； 所述电感Lg1的一端连接节点D1，另一端连接第二NMOS管的栅极，将第二NMOS管的栅极记为节点G2；所述电感Lg2的一端连接节点D2，另一端连接第一NMOS管的栅极，将第一NMOS管的栅极记为节点G1；所述电容Cg的两端分别连接节点G1和节点G2； 所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均接地； 其中，电感Ld1与电感Lg1、电感Ld2与Lg2之间设有磁耦合路径，用于实现互感；节点D1与节点G2、节点D2与节点G1之间存在电耦合路径，用于形成电耦合。

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