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龙图腾网获悉北京镓创半导体装备有限公司申请的专利一种基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121046929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511226190.3，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法是由宫学源;李龙设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体材料生长技术领域，旨在解决现有技术中因单一气氛共享导致的加热元件寿命减损以及晶体缺陷较多质量难以保障，单晶生产成本高但生产效率低的技术问题。本申请公开的单晶生长装置，其特征在于，包括炉体、第一腔室、第二腔室、加热组件、生长组件、气氛隔离与热传导组件、气氛管理系统以及中央控制系统；所述气氛隔离与热传导组件用于炉体分隔为气密隔离的第一腔室和第二腔室并且高效传热。通过采用上述方案，本申请可实现气氛结构分离和组合式坩埚设计，在保证晶体高质量、高纯净度的同时，有效延长加热元件寿命，显著降低运行成本。

本发明授权一种基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法在权利要求书中公布了：1.一种低缺陷单晶的生长装置，所述装置用于提拉法或导模法生长低缺陷氧化镓单晶，其特征在于，包括： 一炉体，所述炉体内设置有一筒状气氛分离与热传导组件，所述气氛分离与热传导组件将所述炉体的内部空间物理性地分隔为相互隔离的、同轴心设置的第一腔室和第二腔室； 一防护加热系统，所述加热系统包括设置于所述第一腔室内的加热元件，所述加热元件表面设置有防护涂层； 一气氛控制系统，所述气氛控制系统包括第一气氛管理单元，其与所述第一腔室连通，用于向所述第一腔室供给并维持保护性气氛；以及第二气氛管理单元，其与所述第二腔室连通，用于向所述第二腔室供给并维持含氧气氛； 一温度控制系统，所述温度控制系统包括第一温度管理单元，其与第一腔室联通，用于调控第一腔室的温度；以及第二温度管理单元，其与第二腔室联通，用于调控第二腔室的温度； 一中央控制系统，所述中央控制系统包括温度传感器、压力传感器、氧分压传感器和中央处理器；以及 一晶体生长系统，所述晶体生长系统包括设置于所述第二腔室内的组合式坩埚，所述组合式坩埚包括具有第一内径的坩埚和具有第二内径的坩埚支架，所述坩埚的壁厚为0.1-0.8mm，所述坩埚和所述坩埚支架同轴心排列，所述第二内径比第一内径大1-3mm，由此在所述坩埚外壁和所述坩埚支架内壁之间构成一环状空隙，所述环状空隙内设置有同轴心设置的自适应压力补偿层，所述自适应压力补偿层选自镍钛形状记忆合金纤维毡或陶瓷纤维。

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