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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利离子注入设备和离子注入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121075894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511607643.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权离子注入设备和离子注入方法是由李军华;罗承先设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子注入设备和离子注入方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种离子注入设备和离子注入方法，该设备包括：用于承载半导体结构的承载台；用于产生离子束并驱动离子束向半导体结构运动的离子束产生系统；位于离子束产生系统和承载台之间的离子束阻挡系统，其包括具有弧形边缘的离子束通道；离子束经离子束通道注入半导体结构；控制系统，用于控制承载台围绕指定旋转中心旋转，并控制离子束通道沿半导体结构径向运动，使得经离子束通道注入半导体结构的离子束在半导体结构上形成沿半导体结构径向分布的至少两个形状为圆形、环形或扇环形的区域；区域弧度与离子束通道弧形边缘弧度相匹配。通过本申请实施例，减小了半导体结构上相邻离子注入区域之间的过渡区域沿半导体结构径向的宽度。

本发明授权离子注入设备和离子注入方法在权利要求书中公布了：1.一种离子注入设备，其特征在于，包括： 承载台，用于承载半导体结构； 离子束产生系统，用于产生离子束，并驱动所述离子束向所述半导体结构运动； 离子束阻挡系统，位于所述离子束产生系统和所述承载台之间；所述离子束阻挡系统至少包括两个沿第一子阻挡方向分布的、可独立移动的第一挡板；所述第一挡板具有用于形成离子束通道的第二边缘；其中，所述第二边缘为弧形边缘；所述离子束经所述离子束通道注入所述半导体结构； 控制系统，用于控制所述承载台围绕指定旋转中心旋转，并控制所述离子束通道沿所述半导体结构的径向运动，使得经所述离子束通道注入所述半导体结构的离子束在所述半导体结构上形成沿所述半导体结构的径向分布的至少两个区域；其中，所述至少两个区域中至少存在一个包含所述半导体结构的中心的区域的离子注入剂量为零；所述区域的形状为圆形、环形或扇环形；所述区域的弧度与所述离子束通道的弧形边缘的弧度相匹配；所述区域沿所述半导体结构径向的宽度与所述两个第一挡板的第二边缘之间的距离相匹配。

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