上海超硅半导体股份有限公司陈猛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海超硅半导体股份有限公司申请的专利绝缘体上半导体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511793909.1，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权绝缘体上半导体及其制备方法是由陈猛;叶斐;张晨膑设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本绝缘体上半导体及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种绝缘体上半导体及其制备方法。该绝缘体上半导体包括依次设置的：衬底层、融合层、富陷阱层、埋氧层和器件层。融合层位于衬底层的一侧，融合层包括迁移元素，迁移元素是基于衬底层的化合物中的元素扩散得到的；富陷阱层位于融合层远离衬底层的一侧；埋氧层位于富陷阱层远离衬底层的一侧；以及器件层位于埋氧层远离富陷阱层的一侧。该绝缘体上半导体的融合层中的迁移元素能够在保证衬底层的电阻率不下降的同时，增强富陷阱层与衬底层的联系，从而提高富陷阱层对杂质捕获能力，降低射频器件中谐波影响。
本发明授权绝缘体上半导体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上半导体，其特征在于，包括依次设置的： 衬底层； 融合层，位于所述衬底层的一侧，所述融合层基于衬底层生成的化合物消融得到，并且所述融合层包括迁移元素，其中，所述迁移元素是基于所述衬底层生成的化合物中的元素扩散得到的，所述融合层的晶粒间界分布有所述迁移元素； 富陷阱层，位于所述融合层远离所述衬底层的一侧； 埋氧层，位于所述富陷阱层远离所述衬底层的一侧；以及 器件层，位于所述埋氧层远离所述富陷阱层的一侧。
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