苏州中芯长宏半导体科技有限公司金麒龙获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州中芯长宏半导体科技有限公司申请的专利一种芯片加工生产线监控方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121300005B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511273933.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种芯片加工生产线监控方法及系统是由金麒龙设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片加工生产线监控方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体相关技术领域，具体包括一种芯片加工生产线监控方法及系统，包括：采集光刻工艺监测数据；设置特征矩阵；确定聚焦窗口边界；基于特征矩阵，结合聚焦窗口边界与光刻工艺监测数据，配置焦距偏移补偿量；使用边缘放置误差模型，确定偏差幅度评分进行分级提醒。解决芯片加工生产线监控的窗口边界界定依赖经验设定固定标准，无法对焦距偏移进行有效补偿，存在边缘放置误差超标的风险技术问题，实现通过在掩膜层、镜片层、光刻胶层中开展光学邻近效应与工艺窗口的耦合分析并构建特征矩阵，动态匹配补偿参数与误差趋势，提高焦距偏移补偿精度，使用边缘放置误差模型确定偏差幅度评分并进行分级提醒，增强了异常处理的及时性技术效果。
本发明授权一种芯片加工生产线监控方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片加工生产线监控方法，其特征在于，所述方法包括： 采集芯片加工生产线包括光刻工艺段的光刻工艺监测数据； 在掩膜层、镜片层、光刻胶层中，结合曝光强度进行光学邻近效应与工艺窗口耦合分析，设置特征矩阵； 基于所述曝光强度，与曝光敏感度曲线在不同焦距偏移条件下的响应交点，确定聚焦窗口边界； 基于所述特征矩阵，结合所述聚焦窗口边界与所述光刻工艺监测数据，配置光刻胶折射率下的焦距偏移补偿量，所述焦距偏移补偿量与光学邻近效应下的边缘放置误差模型的预测残差具有强相关性； 使用所述边缘放置误差模型，确定偏差幅度评分，并进行分级提醒。
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