厦门半导体工业技术研发有限公司白丽霞获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门半导体工业技术研发有限公司申请的专利基于电阻分压式检测的上电复位电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121308732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511869116.3,技术领域涉及:H03K17/22;该发明授权基于电阻分压式检测的上电复位电路是由白丽霞;赵光威;李文明;刘美冬;潘天龙;尹家宇;郑喆鑫;洪合作设计研发完成,并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于电阻分压式检测的上电复位电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于电阻分压式检测的上电复位电路,包括:第一检测单元,所述第一检测单元对输入的第一偏置信号进行检测,以得到第一检测电压;第二检测单元,所述第二检测单元对输入的第二偏置信号进行检测,以得到第二检测电压;逻辑比较单元,所述逻辑比较单元包括与非门,所述与非门的第一输入端与所述第一检测单元相连接,所述与非门的第二输入端与所述第二检测单元相连接,所述与非门根据所述第一检测电压和所述第二检测电压输出对应的复位信号;从而使得上电速度快、整体电路面积减小。
本发明授权基于电阻分压式检测的上电复位电路在权利要求书中公布了:1.一种基于电阻分压式检测的上电复位电路,其特征在于,包括: 第一检测单元,所述第一检测单元对输入的第一偏置信号进行检测,以得到第一检测电压; 第二检测单元,所述第二检测单元对输入的第二偏置信号进行检测,以得到第二检测电压; 逻辑比较单元,所述逻辑比较单元包括与非门,所述与非门的第一输入端与所述第一检测单元相连接,所述与非门的第二输入端与所述第二检测单元相连接,所述与非门根据所述第一检测电压和所述第二检测电压输出对应的复位信号; 其中,所述第一检测单元包括: 第一电阻分压单元,所述第一电阻分压单元对输入的电源进行分压采样,以得到第一初始检测电压; 第一启动控制单元,所述第一启动控制单元与所述第一电阻分压单元相连接,以根据所述第一初始检测电压进行导通; 第一充放电单元,所述第一充放电单元与所述第一启动控制单元相连接,所述第一充放电单元在所述第一启动控制单元导通后根据所述第一偏置信号得到对应的第一检测电压; 其中,所述第一电阻分压单元包括: 第一电阻,所述第一电阻的一端接地; 第二电阻,所述第二电阻的一端与所述第一电阻的另一端相连接,所述第二电阻的另一端连接到电源; 其中,所述第一启动控制单元包括: 第一电容,所述第一电容一端连接到所述第一电阻和所述第二电阻之间,所述第一电容另一端接地; 第一MOS管,所述第一MOS管的栅极连接到所述第一电阻和所述第二电阻之间,所述第一MOS管的源极连接到地; 其中,所述第一充放电单元包括: 第二MOS管,所述第二MOS管的栅极连接到启动与偏置电路产生器单元,以接收第一偏置信号,所述第二MOS管的源极连接到电源,所述第二MOS管的漏极连接到所述第一MOS管的漏极; 第二电容,所述第二电容一端与所述电源相连接,所述第二电容的另一端连接到所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极之间。
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